[发明专利]柔性元件阵列基板以及柔性元件阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种柔性元件阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板，该基板为玻璃基板、或是沉积有氧化物层的非玻璃基板；

于该基板上形成一含金属层；

提供一热制程，使该含金属层形成一第一层与一第二层，该第一层位于靠近该基板的一侧，该第一层含有第一金属氧化物，以在该第一层中形成一剥离界面，该第二层位于远离该基板的一侧，该第二层含有第二金属氧化物，其中，该第二金属氧化物中的金属的氧化价数，小于该第一金属氧化物中的金属的氧化价数；

于该含金属层的上方形成一电子元件层；

进行一剥离动作，通过该剥离界面，而分离该第一层的一部分与该基板；

于该含金属层与该电子元件层之间，形成一阻绝层；以及

于该电子元件层上，形成一显示元件层。

2.如权利要求1所述的柔性元件阵列基板的制作方法，其特征在于，

该含金属层的金属是选自于：钼、钒、铌、钽、钨、铼、铬及其组合。

3.如权利要求1所述的柔性元件阵列基板的制作方法，其特征在于，

该含金属层包括：单层结构。

4.如权利要求1所述的柔性元件阵列基板的制作方法，其特征在于，

该含金属层包括：多层结构。

5.如权利要求1所述的柔性元件阵列基板的制作方法，其特征在于，

该第二层含有氧化价数为零的金属。

6.如权利要求1所述的柔性元件阵列基板的制作方法，其特征在于，

该显示元件层包括：彼此相邻设置的一第一发光元件、一第二发光元件与一第三发光元件。

7.如权利要求6所述的柔性元件阵列基板的制作方法，其特征在于，更包括：

于该显示元件层上，依序形成一光学胶层与一盖透镜层。

8.如权利要求1所述的柔性元件阵列基板的制作方法，其特征在于，

该热制程的温度范围是350℃到650℃。

9.如权利要求1所述的柔性元件阵列基板的制作方法，其特征在于，

该热制程的温度范围是500℃到650℃。

10.如权利要求1所述的柔性元件阵列基板的制作方法，其特征在于，

该热制程是在形成该电子元件层的步骤之前执行。

11.如权利要求1所述的柔性元件阵列基板的制作方法，其特征在于，

该热制程是在形成该电子元件层的步骤中执行。

12.如权利要求1所述的柔性元件阵列基板的制作方法，其特征在于，

在形成该电子元件层的步骤之前，更包括进行一快速热退火制程。

13.如权利要求1所述的柔性元件阵列基板的制作方法，其特征在于，更包括：

进行一图案化制程，以至少于该柔性元件阵列基板的弯折区留下该第二层的图案。

14.如权利要求13所述的柔性元件阵列基板的制作方法，其特征在于，更包括：

于该第二层的图案上，形成一增厚图案层。

15.一种柔性元件阵列基板，其特征在于，所述柔性元件阵列基板由权利要求1-14任一所述的制作方法得到。

16.如权利要求15所述的柔性元件阵列基板，其特征在于，

该含金属层的金属是选自于：钼、钒、铌、钽、钨、铼、铬及其组合。

17.如权利要求15所述的柔性元件阵列基板，其特征在于，

该含金属层包括：单层结构。