[发明专利]一种静电卡盘及其制备方法在审
| 申请号： | 202010640542.0 | 申请日： | 2020-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN111863693A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 张玉利;杨鹏远;王建冲;侯占杰;王超星;黎远成;何宏庆;樊文凤;唐娜娜 | 申请（专利权）人： | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京头头知识产权代理有限公司 11729 | 代理人： | 白芳仿;刘锋 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 静电 卡盘 及其 制备 方法 | ||
1.一种静电卡盘，其特征在于：包括陶瓷基体，所述陶瓷基体埋设有静电电极和加热电极，所述静电电极和加热电极在陶瓷基体中具有高度差，所述陶瓷基体和静电电极、加热电极一次烧结成型。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于：所述加热电极为多个，多个所述加热电极分布在所述陶瓷基体中的同一高度平面。
3.根据权利要求2所述的静电卡盘，其特征在于：多个所述加热电极彼此不相交。
4.根据权利要求2所述的静电卡盘，其特征在于：所述加热电极呈线圈状，多个所述加热电极在所述陶瓷基体中形成一组同心圆。
5.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于：所述静电卡盘还包括金属基体，所述金属基体设有流体通道，所述金属基体粘接在所述陶瓷基体的加热电极的下方。
6.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于：在所述陶瓷基体和金属基体之间还设有阻热层。
7.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于：所述加热电极为添加了钛成分的钨电极，所述钛成分按质数百分数计为0.001～10％。
8.根据权利要求1至7任意一项所述的静电卡盘的制备方法，其特征在于，包括：
提供陶瓷坯料；
在所述陶瓷坯料的上表面涂敷或印刷静电电极层；
在所述陶瓷坯料的下表面涂敷或印刷加热电极层；
提供陶瓷生料片；
由上至下按照陶瓷生料片、涂敷或印刷了静电电极层和加热电极层的陶瓷坯料、陶瓷生料片的层顺序进行叠层；
采用真空热压方式一次烧结成型。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：所述烧结成型工艺中添加了CaO或CaF2或MgF2烧结助剂。
10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：所述烧结温度为1200-1500℃，烧结压力为5-40Mpa，烧结气氛为非氧化气氛。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京华卓精科科技股份有限公司，未经北京华卓精科科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010640542.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可实现水下就餐的方法
- 下一篇：基于模拟训练的价格谈判策略模型学习方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
