[发明专利]一种硅肖特基二极管的烧结装置及其使用方法

权利要求书

1.一种硅肖特基二极管的烧结装置，其特征在于，包括：底板(1)、导向柱(2)，导向柱(2)垂直固定在连接底板(1)，底板(1)上设有多个通孔(11)，通孔(11)以三个为一组均匀间隔分布；

芯片定位板(3)，芯片定位板(3)上设有芯片定位通孔A(31)、安装通孔(32)、导向通孔A(33)，芯片定位通孔A(31)为矩形，安装通孔(32)位于两个芯片定位通孔A(31)中间形成一组，一个安装通孔(32)、两个芯片定位通孔A(31)与三个通孔(11)同心对应，芯片定位板(3)的导向通孔(33)与导向柱(2)套装；

陶瓷安装定位板(4)，陶瓷安装定位板(4)上设有导向通孔B(41)、陶瓷安装通孔(42)，陶瓷安装定位板(4)经导向通孔B(41)与导向柱(2)套装后位于芯片定位板(3)之上。

铜底安装板(5)，铜底安装板(5)上设有导向通孔C(51)、铜底安装通孔(52)，铜底安装板(5)经导向通孔C(51)与导向柱(2)套装后位于陶瓷安装定位板(4)上。

2.如权利要求1所述的硅肖特基二极管的烧结装置，其特征在于：所述导向通孔C(51)为圆孔。

3.如权利要求1所述的硅肖特基二极管的烧结装置，其特征在于：所述导向通孔B(41)为圆孔。

4.如权利要求1所述的硅肖特基二极管的烧结装置，其特征在于：所述陶瓷安装通孔(42)中部为向外扩宽的圆弧面A(43)。

5.如权利要求1所述的硅肖特基二极管的烧结装置，其特征在于：所述铜底安装通孔(52)中部为向外扩宽的圆弧面B(53)。

6.如权利要求5所述的硅肖特基二极管的烧结装置，其特征在于：所述圆弧面B(53)与圆弧面A(43)宽度相同上下底面重合。

7.如权利要求1所述的硅肖特基二极管的烧结装置，其特征在于：所述定位柱(2)为圆柱形，定位柱(2)与底板(1)为焊接或螺纹旋合或轴孔过盈嵌合固定安装。

8.如权利要求1所述的硅肖特基二极管的烧结装置，其特征在于：所述定位柱(2)为三个，以三角形分布于底板(1)上。

9.如权利要求1所述的硅肖特基二极管的烧结装置，其特征在于：所述通孔(11)为圆孔或方孔中的一种。

10.如权利要求1至9任一所述的硅肖特基二极管的烧结装置的使用方法，其特征在于，包括步骤如下：

步骤一：两接线柱(6)底部安装于底板(1)上一组通孔(11)内相间隔的两通孔(11)；

步骤二：芯片定位板(3)的导向通孔(33)与导向柱(2)套装，四个芯片(7)的分别经过芯片定位通孔A(21)矩形的直角完整定位放置；

步骤三：陶瓷安装定位板(4)经导向通孔B(41)与导向柱(2)套装，陶瓷覆铜板(8)安装于陶瓷安装通孔(42)内；陶瓷覆铜板(8)紧压在芯片(7)上；

步骤四：铜底安装板(5)经导向通孔C(51)与导向柱(2)套装，铜底板(9)安装于铜底安装通孔(52)；铜底板(9)紧压陶瓷覆铜板(8)。