[发明专利]发光器件、包括其的显示设备、及其制造方法

说明书

本发明涉及发光器件、包括其的显示设备、及其制造方法。发光器件包括：第一电极和具有面向所述第一电极的表面的第二电极；设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点(例如，多个量子点)的发射层；以及设置在所述发射层和所述第二电极之间的电子辅助层。所述电子辅助层包括包含第一金属氧化物的第一层、和设置在所述第一层上并且包括第二金属氧化物的第二层。当通过电子显微镜法分析测定时，所述第二层和所述第二电极之间的界面的粗糙度小于约10nm。所述第二层的导带底能级与所述第二电极的功函之间的差的绝对值可小于或等于约0.5eV，和所述第一层的导带底能级可小于所述第二层的导带底能级。

对相关申请的交叉引用

本申请要求2019年7月5日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0081628的优先权和权益、以及由其产生的所有权益，将其全部内容通过引用引入本文中。

技术领域

公开了发光器件和显示设备。

背景技术

与块体材料不同，纳米颗粒的固有物理特性(例如，能带隙或熔点)可通过改变纳米颗粒的尺寸而改变。量子点可呈现出电致发光和光致发光性质。例如，也称作量子点的半导体纳米晶体颗粒如果被置于激发能态下、例如在来自光源的照射的情况下或在电能例如施加的电流下，可发射与量子点的尺寸对应的波长的光。

因此，量子点可用作可发射特定波长的光的发光元件，并且是当前令人感兴趣的。

发明内容

关于使用量子点作为发光器件中的发光元件的研究正在进行并且是令人非常感兴趣的。本文中公开了开发量子点和对使用具有改善性能的量子点的发光器件的设计改进。

实施方式提供具有改善的性能的发光器件。

实施方式提供包括所述发光器件的电子设备。

根据实施方式，发光器件包括：第一电极和具有面对所述第一电极的表面的第二电极；

设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点(例如，多个量子点)的发射层；以及

以及设置在所述发射层和所述第二电极之间的电子辅助层，

其中所述电子辅助层包括靠近所述发射层并且包括第一金属氧化物的第一层、和设置在所述第一层上并且靠近所述第二电极的第二层，所述第二层包括第二金属氧化物，

其中当通过电子显微镜法分析测定时，所述第二层(例如，直接设置在所述第二电极的表面上的第二层的相对表面)和所述第二电极的表面之间的界面的粗糙度小于约10纳米(nm)。

在实施方式中，所述第二层的导带底能级(导带边缘能级，conduction band edgeenergy level)与所述第二电极的功函之间的差的绝对值可小于或等于约0.5电子伏特(eV)。

在实施方式中，所述第一层的导带底能级可小于所述第二层的导带底能级。

在实施方式中，所述第二层的导带底能级可大于所述第二电极的功函。

在实施方式中，所述第二金属氧化物或第二层的能带隙可小于或等于约3.5eV、小于或等于约3.4eV、小于或等于约3.35eV、或者小于或等于约3.3eV。

在实施方式中，所述第二金属氧化物或第二层的能带隙可大于或等于约3.0eV、大于或等于约3.1eV、或者大于或等于约3.2eV。

所述第二层的导带底能级与所述第二电极的功函之间的差的绝对值小于或等于约0.3eV。

所述第二层的导带底能级与所述第二电极的功函之间的差的绝对值小于或等于约0.1eV。

所述发射层可不包括镉、铅、汞、或其组合。所述发射层可不包括镉。