[发明专利]发光器件、包括其的显示设备、及其制造方法

权利要求书

1.发光器件，包括：

第一电极和具有面对所述第一电极的表面的第二电极；

设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点的发射层；以及

设置在所述发射层和所述第二电极之间的电子辅助层，

其中所述电子辅助层包括靠近所述发射层并且包括第一金属氧化物的第一层、和设置在所述第一层上并且靠近所述第二电极的第二层，所述第二层包括第二金属氧化物，和

其中当通过电子显微镜法分析测定时，所述第二层和所述第二电极的表面之间的界面粗糙度小于10纳米。

2.如权利要求1所述的发光器件，其中所述发射层不包括镉。

3.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一层中的碳的量大于所述第二层中的碳的量。

4.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一层中的碳的量大于6摩尔百分比，基于包括在所述第一层中的元素的总摩尔量。

5.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一金属氧化物具有与所述第二金属氧化物不同的组成。

6.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一金属氧化物和/或所述第二金属氧化物包括锌、镁、钙、锆、钇、钛、锡、钨、镍、铜、钴、钼、钒、镓、锰、铁、铝、铌、铈、锶、钡、铟、硅、或其组合。

7.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一金属氧化物和/或所述第二金属氧化物包括氧化锌、氧化锌镁、氧化锡、氧化钛、或其组合。

8.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一金属氧化物和/或所述第二金属氧化物由化学式1表示：

化学式1

Zn_1-xM_xO

在上式中，M为Mg、Ca、Zr、W、Li、Ti、Y、Al、或其组合，和x大于或等于0且小于或等于0.5。

9.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一金属氧化物包括所述第一金属氧化物的纳米颗粒。

10.如权利要求9所述的发光器件，其中所述第一金属氧化物的纳米颗粒的平均颗粒尺寸大于或等于1纳米且小于或等于10纳米。

11.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第二层的表面直接设置在所述第一层的表面上。

12.如权利要求11所述的发光器件，其中当通过电子显微镜法测定时，所述第二层的表面和所述第一层的表面之间的界面粗糙度小于或等于12纳米。

13.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第二层和所述第二电极的表面之间的界面粗糙度小于或等于5纳米。

14.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第二层的厚度大于或等于1纳米且小于或等于20纳米。

15.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第二层的导带底能级与所述第二电极的功函之间的差的绝对值小于或等于0.5电子伏特，或者

其中所述第一层的导带底能级小于所述第二层的导带底能级，且所述第一层的导带底能级与所述第二层的导带底能级之间的差大于或等于0.05电子伏特。

16.如权利要求1所述的发光器件，其中所述发光器件进一步包括设置在所述第二电极的相反表面上的缓冲层，和所述缓冲层包括有机金属化合物或金属氟化物。

17.如权利要求16所述的发光器件，其中所述有机金属化合物或金属氟化物的金属包括锂、铝、或其组合；和所述有机金属化合物的有机部分包括芳族环状部分、杂芳族环状部分、或其组合。