[发明专利]一种镀膜结构及其制备方法在审
申请号: | 202010634498.2 | 申请日: | 2020-07-02 |
公开(公告)号: | CN111778498A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 刘彬灿;黄明起;夏建文 | 申请(专利权)人: | 深圳市化讯半导体材料有限公司 |
主分类号: | C23C18/42 | 分类号: | C23C18/42;C23C18/44;C23C18/54 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 潘登 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 镀膜 结构 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种镀膜结构及其制备方法。所述镀膜结构包括依次设置于导电层上的银层、钯层和金层。本发明针对现有的工艺镍钯金是在镍层上通过沉积的方式沉积上一层钯,然后通过置换的方式沉积上一层金,由于镍层的磁性,在高频高速信号传输时会造成损耗和衰减,导致无法满足信号高频高速传输的问题。本发明提供的镀膜结构包括银层、钯层和金层,不具有磁性,不会影响信号高频高速传输,而且能够保护导电层并提供良好的可焊性,导电性、耐腐蚀性和抗摩擦等性。本发明所述银层取代了金(贵金属)成本显著降低,所述银表面的钯层可有效的防止银层的腐蚀,所述金层可以起到润湿和抗腐蚀的作用。
技术领域
本发明属于表面处理技术领域,具体涉及一种镀膜结构及其制备方法。
背景技术
现有电子工业零件的封装工艺中,镍钯金作为传统的表面处理方式被工业广泛应用,为导电层表面提供优异的金线bonding性能,耐磨耐腐蚀等特点。
随着科学的进步发展,人类步入5G时代,同时也标志着在半导体封装,IC基板,铝基板,陶瓷基板,印制电路板等电子工业元器件封装进入高频高速时期,镍钯金作为传统的表面处理工艺,因为其镍层的磁性,信号在高频高速的传输时会造成的损耗和衰减,所以目前现有的表面处理材料限制了高频高速的发展。
金钯金镀层具有和镍钯金镀层同等优异的bonding和焊接性能,但由于其叠层结构三层均为贵金属组成,具有加工成本较高、难以维持大批量生产的缺陷。
CN102605359A公开了一种崭新的化学钯金镀膜的表面处理叠构,在焊垫(铜)上,首先利用置换型的方法形成一层0.06~0.12μm的金属钯,然后在置换型钯层上沉积一层厚度0.03~0.2μm的还原型钯层用于加厚钯镀层,最后利用还原的方法在钯表面沉积一层0.03~0.2μm的金。由于其金是采用氧化还原型的方式沉积,其槽液稳定性较差,实际的生产加工过程中管控较难,难以满足大规模量产的需要,加之其钯层作为铜离子屏蔽层,需要钯层的厚度较厚,而钯作为一种贵金属成本较高,更加限制了其在工业生产端的应用。
CN110241406A和CN110318047A公开了另外一种化学金钯金镀膜的表面处理叠构,在焊垫(铜)上利用置换的方式置换一层薄金,然后利用金的催化性在金面上沉积一层化学钯,最后再利用置换的方式在钯上沉积上一层化学金,最终形成金钯金的化学叠构,由于其叠层结构三层均为贵金属组成,加工成本较高,难以维持大批量生产。
因此,本领域需要开发一种新型的镀膜制备方法,其具有较好的可焊性、导电性和耐腐蚀性,信号在高频高速的传输时不会造成损耗和衰减,且生产成本较低的优势。
发明内容
本发明针对现有的工艺镍钯金是在镍层上通过沉积的方式沉积上一层钯,然后通过置换的方式沉积上一层金,由于镍层的磁性,在高频高速信号传输时会造成损耗和衰减,导致无法满足信号高频高速传输的问题,本发明的目的在于提供一种镀膜结构及其制备方法。所述方法得到的镀膜不具有磁性,不会影响信号高频高速传输,且具有较好的可焊性、导电性、耐磨性等优点。
为达上述目的,本发明采用以下技术方案:
本发明的目的之一在于提供一种镀膜结构,所述镀膜结构包括依次设置于导电层上的银层、钯层和金层。
本发明所述镀膜结构包括银层、钯层和金层,不具有磁性,不会影响信号高频高速传输,而且能够保护导电层并提供良好的可焊性,导电性、耐腐蚀性和抗摩擦等性。本发明所述银层取代了金(贵金属)成本显著降低,所述银表面的钯层可有效的防止银层的腐蚀,所述金层可以起到润湿和抗腐蚀的作用。
优选地,所述银层的厚度为0.2~0.4μm,例如0.21μm、0.23μm、0.25μm、0.27μm、0.29μm、0.3μm、0.31μm、0.33μm、0.35μm、0.37μm或0.39μm等。
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