[发明专利]准分子激光器环境监测和报警的控制方法及装置在审
申请号: | 202010610489.X | 申请日: | 2020-06-30 |
公开(公告)号: | CN113868071A | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
发明(设计)人: | 王香;冯泽斌;张华;张琴;廖密;牟迪;江锐;黄立杰;马天龙 | 申请(专利权)人: | 北京科益虹源光电技术有限公司 |
主分类号: | G06F11/30 | 分类号: | G06F11/30;G06F11/32 |
代理公司: | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人: | 魏毅宏 |
地址: | 100000 北京市大兴区经济*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 准分子激光 环境监测 报警 控制 方法 装置 | ||
1.一种准分子激光器环境监测和报警的控制方法,其特征在于,包括以下步骤:
对准分子激光器参数在特定工作范围的特定值进行初始化;
对准分子激光器的配置表以及错误码表进行检查,确保配置表以及错误码表存在以及正确;
启动两个线程分别对准分子激光器参数进行采集和监控,包括参数采集线程和参数监控线程;参数采集线程负责间隔固定时间从底层采集准分子激光器的参数,参数监控线程负责在准分子激光器运行的不同时刻,检查每一个参数是否都在特定工作范围之内;
若出现有任一参数不在特定工作范围之内的情况,则进行报警输出。
2.根据权利要求1所述的准分子激光器环境监测和报警的控制方法,其特征在于,所述方法还包括:
在运行过程中发生错误时,参数监控线程负责查询是否有匹配的错误码,如果有匹配的错误码,记录该错误同时发出相应的错误警报;如果没有匹配的错误码,则在错误记录的同时发出最高级别的报警,并控制准分子激光器回到待机状态。
3.根据权利要求2所述的准分子激光器环境监测和报警的控制方法,其特征在于,在本监控模式下,将报警线程和参数采集线程的优先级设定高于其他任务,确保错误发生时,第一时间报警。
4.根据权利要求1所述的准分子激光器环境监测和报警的控制方法,其特征在于,对准分子激光器的配置表以及错误码表进行检查,确保配置表以及错误码表存在以及正确包括:
若配置表以及错误码表中任一表格检查失败,则初始化失败,需检查配置表以及错误码表是否存在以及表格正确性,若不存在或表格不正确,则返回重新设置配置表以及错误码表。
5.根据权利要求1所述的准分子激光器环境监测和报警的控制方法,其特征在于,报警分为四个级别:正常状态:没有错误发生;警告状态:准分子激光器参数即将超过设定值限制;一般错误状态:激光器参数超过设定值限制;严重错误状态:硬件报错发生,准分子激光器被强制进入待机状态。
6.根据权利要求1所述的准分子激光器环境监测和报警的控制方法,其特征在于,准分子激光器的参数包括:环境温度、水流量,腔体温度、气体压力、水流量。
7.一种准分子激光器环境监测和报警的控制装置,其特征在于,包括:
参数初始化单元,用于对准分子激光器参数在特定工作范围的特定值进行初始化;
检查单元,用于对准分子激光器的配置表以及错误码表进行检查,确保配置表以及错误码表存在以及正确;
线程启动单元,用于启动两个线程分别对准分子激光器参数进行采集和监控,包括参数采集线程和参数监控线程;参数采集线程负责间隔固定时间从底层采集准分子激光器的参数,参数监控线程负责在准分子激光器运行的不同时刻,检查每一个参数是否都在特定工作范围之内;
报警单元,用于若出现有任一参数不在特定工作范围之内的情况,则进行报警输出。
8.根据权利要求7所述的准分子激光器环境监测和报警的控制装置,其特征在于,所述装置还包括:
错误码查询单元,用于在运行过程中发生错误时,参数监控线程负责查询是否有匹配的错误码,如果有匹配的错误码,记录该错误同时发出相应的错误警报;如果没有匹配的错误码,则在错误记录的同时发出最高级别的报警,并控制准分子激光器回到待机状态。
9.一种存储介质,其特征在于,所述存储介质存储有能够实现权利要求1至6中任意一项所述准分子激光器环境监测和报警的控制方法的程序文件。
10.一种处理器,其特征在于,所述处理器用于运行程序,其中,所述程序运行时执行权利要求1至6中任意一项所述的准分子激光器环境监测和报警的控制方法。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京科益虹源光电技术有限公司,未经北京科益虹源光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010610489.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:晶体管器件制造方法
- 下一篇:多量程测试电路和多量程测试装置