[发明专利]用于处理基板的装置和方法

说明书

本发明提供一种用于处理基板的装置和方法。一种用于处理基板的装置包括：壳体，在所述壳体中具有处理空间；支承单元，其在所述壳体中支承所述基板；液体分配单元，其将液体分配到支承在所述支承单元上的所述基板上；激光照射单元，其将激光照射到所述基板的边缘区域；以及控制器，其控制所述液体分配单元和所述激光照射单元。所述激光照射单元包括：板，其设置在所述液体上，从而与分配到所述基板上的所述液体的表面接触；以及激光照射构件，其将所述激光穿过所述板照射到支承在所述支承单元上的所述基板的所述边缘区域。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年6月27日提交的、申请号为10-2019-0077271的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本文描述的本发明构思的实施方案涉及用于处理基板的装置和方法，更具体地，涉及用于通过将液体分配到基板上并将激光照射到基板来处理基板的装置和方法。

背景技术

制造诸如半导体元件或平板显示元件的集成电路元件的工艺，包括通过将激光束照射到基板来去除基板上的膜的工艺。然而，在激光束照射工艺中会产生颗粒。由于半导体元件的高密度、高集成度和高性能，迅速进行电路图案的按比例缩小。因此，残留在基板表面上的诸如颗粒的污染物极大地影响半导体元件的特性和产率(yield)。

因此，如图1所示，当通过使用激光L处理基板W时，将抽吸灰尘用抽吸设备5用于去除颗粒P。

然而，在通过将激光L照射到基板W来去除基板W的表面上的薄膜T的工艺中，基板W上的颗粒P从基板W分离并被抽吸设备5抽吸，但是一些颗粒或小尺寸的细颗粒会再次粘附至基板W，而不会被抽吸设备5抽吸。

此外，如图2所示，在将液体分配到基板W的表面上时而激光L照射到基板W的情况下，基板W上的液膜具有波纹表面，因此基板W上的液膜的表面不平。当将激光L照射到液膜的表面时，激光L被折射，因此激光L没有被照射到基板W上的期望位置。

此外，由于激光L从基板W的上方在垂直于基板W的方向上被照射，因此在基板W的上方需要用于设置激光L的照射路径的空间。因此，增加了基板处理装置的处理空间的体积。

发明内容

本发明构思的实施方案提供了一种用于有效处理基板的基板处理装置和方法。

此外，本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置和方法，用于在通过将激光照射到基板来处理基板的工艺中使杂质对基板的粘附最小化。

另外，本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置和方法，用于当将激光照射到其上具有液体层的基板时、允许激光准确地到达基板上的期望区域。

本发明构思所要解决的技术问题不限于上述问题，且本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。

根据一示例性实施方案，一种用于处理基板的装置包括：壳体，在所述壳体中具有处理空间；支承单元，其在所述壳体中支承所述基板；液体分配单元，其将液体分配到支承在所述支承单元上的所述基板上；激光照射单元，其将激光照射到所述基板的边缘区域；以及控制器，其制所述液体分配单元和所述激光照射单元。所述激光照射单元包括：板，其设置在所述液体上从而与分配到所述基板上的所述液体的表面接触；以及激光照射构件，其将所述激光穿过所述板照射到支承在所述支承单元上的所述基板的所述边缘区域。

根据一实施方案，所述板的上表面可以平行于放置在所述支承单元上的所述基板。

根据一实施方案，所述板的上表面可以是圆形的。

根据一实施方案，所述板的上表面可以是凸形的。

根据一实施方案，所述板的上表面可以沿着放置在所述支承单元上的所述基板的径向方向倾斜。