[发明专利]量子点薄膜及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在惰性气氛下，提供第一配体的脂肪酸溶液和第一量子点的混合溶液体系，在第一加热条件下进行配体交换反应，制备表面结合有第一配体的第二量子点；其中，所述第一配体的结构通式如式1所示；所述R₁选自碳原子数为1至6且末端含有第一活性基团的取代基；

提供基板，在所述基板上沉积所述第二量子点制备量子点预制膜；在所述量子点预制膜上沉积含有引发剂和交联剂的混合溶液，加热使量子点表面的第一配体交联，制备量子点薄膜；或提供基板，在所述第二量子点中加入含有引发剂和交联剂，将得到的混合体系沉积在所述基板上，加热使量子点表面的第一配体交联，制备量子点薄膜。

2.如权利要求1所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一活性基团选自羧基、羟基、氨基、巯基中的至少一种；和/或

所述第一配体选自甲基丙烯酸羟乙酯、甲基丙烯酸羟丙酯、甲基丙烯酸羟丁酯的至少一种。

3.如权利要求1所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述引发选自偶氮二异丁腈、过氧化苯甲酰中的至少一种；和/或

所述交联剂选自二甲基丙烯酸乙二醇酯、二乙烯基苯中的至少一种。

4.如权利要求1所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，在第一加热条件下进行配体交换反应的步骤之后，还包括：将得到的反应体系分散与极性溶剂中，收集量子点沉淀；将得到的量子点溶于非极性溶剂中，重复至少一次；和/或

加热使量子点表面的第一配体交联的步骤，在温度为60℃～90℃的条件下进行，反应时间为24h～48h；和/或

所述第一配体的脂肪酸溶液中的脂肪酸选自正辛酸、乙酸、正己酸、正丁酸、正戊酸中的至少一种。

5.如权利要求1至4任一项所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一配体的脂肪酸溶液和第一量子点的混合溶液体系中，第一配体和第一量子点的摩尔比为50～100:1；和/或

在第一加热条件下进行配体交换反应的步骤中，所述第一加热条件的温度为100℃～200℃，所述配体交换反应的时间为20min～40min。

6.如权利要求1至4任一项所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，提供第一配体的脂肪酸溶液和第一量子点的混合溶液体系的步骤，包括：分别配置第一配体的脂肪酸溶剂和第一量子点的非极性溶液，混合处理，得到所述混合溶液体系。

7.如权利要求1至4任一项所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一量子点为表面结合有第二配体的量子点，且所述第二量子点的表面同时结合有第一配体和第二配体；

所述第二配体为结构通式如式2所示的化合物；其中，X₁为与所述量子点结合的第二活性基团；R₂为-(CH₂)_n-，n为正整数，且n的取值满足范围为1～10；

所述第一量子点的制备方法为：

在惰性气氛下，提供化合物A的脂肪酸溶液，以及初始量子点；将化合物A的脂肪酸溶液和初始量子点混合形成混合溶液体系，在第二加热条件下进行配体交换反应，制备表面结合有化合物A的量子点；其中，所述化合物A的结构通式如下，X₁为与所述量子点结合的第二活性基团；R₂为-(CH₂)_n-，R₃为直链C_mH_2m+1，m、n为正整数，且n+m的取值满足范围为2～12

将所述量子点表面的化合物A进行水解，得到表面结合有所述第二配体的第一量子点。

8.如权利要求7所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述第二活性基团选自羧基、羟基、氨基、巯基中的一种；和/或

所述化合物A选自辛二酸单甲酯、庚二酸单乙酯、壬二酸单乙酯中的至少一种。