[发明专利]多层电路基板及其偏移检测方法

权利要求书

1.一种多层电路基板的偏移检测方法，其特征在于，包括步骤：

形成包括第一监控图形的第一线路层；

于所述第一线路层上形成包括第二监控图形的第二线路层，所述第一监控图形及所述第二监控图形的其中之一至少包括导电图形，其中另一至少包括参考图形；

导通所述导电图形而于所述导电图形的表面形成电镀层；

判断所述参考图形的表面是否存在电镀层，若存在，则判定所述参考图形偏移至连通所述导电图形，所述第一线路层与所述第二线路层之间的偏移量超过预设值，若不存在，则判定所述第一线路层与所述第二线路层之间的偏移量未超过预设值。

2.根据权利要求1所述的偏移检测方法，其特征在于，所述第一监控图形至少包括第一导电图形，所述第二监控图形至少包括第二参考图形。

3.根据权利要求2所述的偏移检测方法，其特征在于，所述第一监控图形包括第一参考图形及环绕所述第一参考图形设置的所述第一导电图形，所述第一参考图形与所述第一导电图形间隔设置，所述第二监控图形至少包括导通所述第一参考图形的第二参考图形。

4.根据权利要求3所述的偏移检测方法，其特征在于，所述第二监控图形还包括环绕所述第二参考图形设置的第二导电图形，所述第二参考图形与所述第二导电图形间隔设置，且所述第二导电图形导通所述第一导电图形。

5.根据权利要求4所述的偏移检测方法，其特征在于，步骤“导通所述导电图形而于所述导电图形的表面形成电镀层”之前还包括步骤：

于所述第二线路层上形成包括第三监控图形的第三线路层，所述第三监控图形包括第三参考图形及环绕所述第三参考图形设置的第三导电图形，所述第三参考图形与所述第三导电图形间隔设置，且所述第三参考图形导通所述第二参考图形，所述第三导电图形导通所述第二导电图形。

6.根据权利要求1所述的偏移检测方法，其特征在于，步骤“形成包括第一监控图形的第一线路层；于所述第一线路层上形成包括第二监控图形的第二线路层，所述第一监控图形及所述第二监控图形的其中之一至少包括导电图形，其中另一至少包括参考图形；导通所述导电图形而于所述导电图形的表面形成电镀层”具体包括：

于金属载体上形成第一线路层，所述第一线路层包括位于功能区的第一金属电路及位于非功能区的第一监控图形，所述第一监控图形至少包括第一导电图形；

于所述第一线路层上形成第二线路层，所述第二线路层包括位于功能区且与所述第一金属电路导通的第二金属电路及位于非功能区的第二监控图形，所述第二监控图形至少包括第二参考图形；

形成包封所述第一线路层及所述第二线路层并连接所述金属载体的包封层；

研磨所述包封层而暴露出所述第二线路层的表面；

蚀刻部分金属载体而暴露出所述第一线路层的表面，且剩余的金属载体导通所述第一导电图形及所述第一金属电路；

于金属电镀池内导通所述金属载体而于暴露的所述第一导电图形及第二导电图形的表面、所述第一金属电路的表面及所述第二金属电路的表面形成电镀层。

7.根据权利要求6所述的偏移检测方法，其特征在于，步骤“于金属载体上形成第一线路层；于所述第一线路层上形成第二线路层”具体包括：

于金属基板的所有表面镀上铜箔而形成金属载体；

于所述金属载体相对的上表面及下表面贴附第一光阻膜；

通过曝光显影工艺于所述金属载体的上表面的第一光阻膜处形成第一通孔；

于所述第一通孔内镀上金属而形成第一线路层；

于所述第一线路层及位于所述金属载体的上表面的第一光阻膜上贴附第二光阻膜；

通过曝光显影工艺于所述第二光阻膜处形成第二通孔；

于所述第二通孔内镀上金属而形成第二线路层；

去除第一光阻膜及第二光阻膜。