[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述量子点发光层和所述阳极之间的空穴传输层；在所述量子点发光层和所述空穴传输层之间设置有界面材料，且所述界面材料含有第一配体，所述界面材料组成设置在所述量子点发光层和所述空穴传输层之间的界面层，所述量子点发光层中的量子点表面结合有所述第一配体，且所述第一配体中含有第一活性基团，所述量子点发光层中的量子点表面还结合有第二配体，所述第二配体为MOF单体，且所述MOF单体中至少含有三个与所述量子点结合的第二活性基团，所述第二活性基团与量子点的反应活性大于所述第一活性基团与量子点的反应活性；；

所述第一配体选自下式1、式2、式3中的至少一种，其中，X¹、X²、X³各自独立地选自与所述量子点结合的第一活性基团；l为2-6的正整数；R¹选自碳原子数为1-6的烯基或烷基；

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2. 如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一配体选自三联苯-4-羧酸，2,4-己二烯酸、2-氨基蒽和9-硝基蒽中的至少一种。

3.如权利要求1或2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一活性基团选自羧基、巯基、氨基、羟基、硝基中的一种；和/或

所述第二活性基团选自羟基、羧基、巯基、氨基中的一种。

4.如权利要求1或2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一配体和所述第二配体的摩尔比为1:0.95~1.05。

5.如权利要求1或2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第二配体选自结构如下式4所示的化合物，其中，X⁴、X⁵、X⁶为相同或不同的第二活性基团：

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6.如权利要求1或2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第二配体为1,3,5-三（4-羧基苯基）苯。

7.如权利要求1或2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层中的量子点表面还结合有第三配体；所述第三配体为结构通式如式5所示的化合物；其中，X⁷为与所述量子点结合的第三活性基团；R²为-(CH₂)_m-，m为正整数，且m的取值范围为1~10；

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8.如权利要求7所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第三活性基团选自羧基；和/或

所述第三配体选自辛二酸、庚二酸、壬二酸中的至少一种。

9.如权利要求7所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一配体和所述第三配体的摩尔比为1:0.95~1.05。

10.如权利要求1或2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层中的量子点表面还结合有第四配体；其中，所述第四配体为结构通式如式6所示的化合物；其中，所述R³选自碳原子数为1至6、末端含有与所述量子点结合的第四活性基团的取代基；且所述第四配体之间通过双键的聚合反应交联形成网络结构；

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11.如权利要求10所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第四配体选自甲基丙烯酸羟乙酯、甲基丙烯酸羟丙酯、甲基丙烯酸羟丁酯中的至少一种。

12.如权利要求11所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一配体和所述第四配体的摩尔比为1:1~2。