[发明专利]一种利用光和质子耦合作用模拟神经突触功能的方法在审
| 申请号： | 202010566482.2 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN111783975A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 诸葛飞;徐慧文;鹿文博;张莉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | G06N3/067 | 分类号： | G06N3/067 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 刘诚午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 光和 质子 耦合 作用 模拟 神经 突触 功能 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种利用光和质子耦合作用在质子导体器件中模拟神经突触功能的方法，其特征在于，所述质子导体器件由自下而上依次设置的衬底、质子导体薄膜和电极阵列组成，所述方法为用光照射已经施加有电信号的两个电极之间的质子导体薄膜，利用所述两个电极测量所述质子导体薄膜在光照下产生的光电响应信号。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述质子导体薄膜的材料为氧化石墨烯。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述质子导体薄膜的厚度为10～1000nm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电极的材料为金属、导电氧化物、导电碳材料中的一种或多种组合。
5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述电极阵列中相邻电极的间距为100nm～1mm，所述每个电极的厚度分别独立为20～1000nm。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述光照的波长为390～780nm，光功率密度为10μW/cm2～100mW/cm2。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述质子导体器件的功率为0.1～100pW。
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