[发明专利]芯片元件在审
申请号: | 202010544766.1 | 申请日: | 2020-06-15 |
公开(公告)号: | CN112103284A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 下市拓真 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/01 | 分类号: | H01L27/01;H01L49/02;H03H5/12 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 龚诗靖 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 元件 | ||
本发明提供一种能够实现优异的LC特性的芯片元件。本发明提供一种芯片元件(1),该芯片元件(1)包含:衬底(12);无机绝缘层(13),形成在衬底(12)之上;有机绝缘层(14),形成在无机绝缘层(13)之上;以及LC电路(6),包含形成在无机绝缘层(13)内的第1电容器(C1)、及第1电感器(L1),所述第1电感器(L1)以电连接于第1电容器(C1)的方式形成在有机绝缘层(14)内。
技术领域
本发明涉及一种具备LC电路的芯片元件。
背景技术
专利文献1揭示一种电子元件,该电子元件包含绝缘层、形成在绝缘层内的线圈、及形成在绝缘层内且与线圈之间形成LC电路的电容器。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2016-201517号公报
发明内容
[发明要解决的问题]
本发明的一实施方式提供一种能够实现优异的LC特性的芯片元件。
[解决问题的技术手段]
本发明的一实施方式提供一种芯片元件,包含:衬底;无机绝缘层,形成在所述衬底之上;有机绝缘层,形成在所述无机绝缘层之上;以及LC电路,包含形成在所述无机绝缘层内的电容器、及电感器,所述电感器以电连接于所述电容器的方式形成在所述有机绝缘层内。根据该芯片元件,能够实现优异的LC特性。
本发明的一实施方式提供一种芯片元件,包含:衬底;无机绝缘层,形成在所述衬底之上;有机绝缘层,形成在所述无机绝缘层之上;电容器,包含配置在所述无机绝缘层内的下电极、及上电极,所述上电极以隔着所述无机绝缘层的一部分而与所述下电极对向的方式配置在所述无机绝缘层内;以及电感器,包含配置在所述有机绝缘层内的螺旋状线圈导体,且与所述电容器之间形成LC电路。根据该芯片元件,能够实现优异的LC特性。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的芯片元件的电结构且表示装入了第1方式例的LC电路的方式的电路图。
图2是表示图1所示的芯片元件的概略构成的剖视图。
图3是图1所示的芯片元件的立体图。
图4是图3所示的芯片元件的分离立体图。
图5是图3所示的芯片元件的剖视图。
图6是图5所示的第1无机绝缘层之上的结构的俯视图。
图7是图5所示的第2无机绝缘层的俯视图。
图8是图5所示的第2无机绝缘层之上的结构的俯视图。
图9是图5所示的第3无机绝缘层的俯视图。
图10是图5所示的第1有机绝缘层的俯视图。
图11是图5所示的第2有机绝缘层的俯视图。
图12是图5所示的第3有机绝缘层的俯视图。
图13是图5所示的第3有机绝缘层之上的结构的俯视图。
图14A是用来说明图3所示的芯片元件的制造方法的一例的剖视图。
图14B是表示图14A之后的步骤的剖视图。
图14C是表示图14B之后的步骤的剖视图。
图14D是表示图14C之后的步骤的剖视图。
图14E是表示图14D之后的步骤的剖视图。
图14F是表示图14E之后的步骤的剖视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的