[发明专利]喷淋式进气CVD动态混气装置在审
申请号: | 202010542448.1 | 申请日: | 2020-06-15 |
公开(公告)号: | CN111560603A | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 于葛亮;张锦;刘伟铭;康斯坦丁·诺沃舍洛夫;孙正乾;杨金东 | 申请(专利权)人: | 无锡盈芯半导体科技有限公司;北京大学 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良;涂三民 |
地址: | 214187 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 喷淋 式进气 cvd 动态 装置 | ||
本发明涉及一种喷淋式进气CVD动态混气装置,在法兰的右侧壁上呈密封固定有混合罐,在法兰的左侧壁上呈密封固定有定子,在法兰上或者混合罐上固定有至少两个进气接头,在混合罐上固定有出气接头,在混合罐内转动安装有叶片轴,在叶片轴上固定有叶片;在定子内转动安装有主轴,主轴与叶片轴呈一体式同轴连接,在主轴内固定有强磁线圈,在主轴的外壁与定子的内壁之间设有密封用磁性粉末。本发明大大提高了二维材料生长用气体的混合效果,本发明还具有密封可靠、结构简单的优点。
技术领域
本发明涉及一种二维材料生长领域使用的气体混合器,具体地说是一种喷淋式进气CVD动态混气装置。
背景技术
在二维材料生长领域使用的气体混合器大多为静态混合器,静态混合器的工作原理是高速度通过的几路气体通过密闭的迷宫状管道空间碰撞然后实现混合,混合效果取决气体的通过密闭腔助混结构的速度和助混结构的合理搭配的空间,能很好的让气体分子自在空间里面有碰撞混合。目前,静态混合器普遍存在气体混合效果较差的问题。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种能大大提升混合效果且密封可靠的喷淋式进气CVD动态混气装置。
按照本发明提供的技术方案,所述喷淋式进气CVD动态混气装置,包括法兰、混合罐、定子、进气接头、出气接头、叶片轴、叶片、主轴、强磁线圈与密封用磁性粉末;
在法兰的右侧壁上呈密封固定有混合罐,在法兰的左侧壁上呈密封固定有定子,在法兰上或者混合罐上固定有两个进气接头,在混合罐上固定有出气接头,在混合罐内转动安装有叶片轴,在叶片轴上固定有叶片;在定子内转动安装有主轴,主轴与叶片轴呈一体式同轴连接,在主轴内固定有强磁线圈,在主轴的外壁与定子的内壁之间设有密封用磁性粉末。
作为优选,所述叶片包括正向吹风叶片与反向吹风叶片,在叶片轴上固定有呈间隔设置的正向吹风叶片与反向吹风叶片,相邻两个正向吹风叶片之间设有一个反向吹风叶片,相邻两个反向吹风叶片之间设有一个正向吹风叶片。
作为优选,所述混合罐的出气端为圆锥形罐体,在圆锥形罐体的内壁面上设有气体导流旋转螺纹,在圆锥形罐体的锥顶位置固定有所述的出气接头。
作为优选,所述两个进气接头分别固定在法兰的直径两端,进气接头(4)的出气方向与叶片轴的轴线方向一致,在靠近法兰的混合罐内壁上设有与进气接头的出气端位置配合的挡板。
作为优选,所述进气接头固定在靠近法兰的混合罐上,两个进气接头的出气方向为混合罐的直径方向且呈对向设置。
作为优选,所述叶片轴与混合罐呈同轴设置。
本发明大大提高了二维材料生长用气体的混合效果,本发明还具有密封可靠、结构简单的优点。
附图说明
图1是本发明实施例1的结构示意图。
图2是本发明实施例2的结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
一种喷淋式进气CVD动态混气装置,如图1所示,它包括法兰1、混合罐2、定子3、进气接头4、出气接头5、叶片轴6、叶片7、主轴8、强磁线圈9与密封用磁性粉末10;
在法兰1的右侧壁上呈密封固定有混合罐2,在法兰1的左侧壁上呈密封固定有定子3,在法兰1上或者混合罐2上固定有两个进气接头4,在混合罐2上固定有出气接头5,在混合罐2内转动安装有叶片轴6,在叶片轴6上固定有叶片7;在定子3内转动安装有主轴8,主轴8与叶片轴6呈一体式同轴连接,在主轴8内固定有强磁线圈9,在主轴8的外壁与定子3的内壁之间设有密封用磁性粉末10。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡盈芯半导体科技有限公司;北京大学,未经无锡盈芯半导体科技有限公司;北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010542448.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的