[发明专利]一种高性能DDR读数据控制电路在审
| 申请号： | 202010540514.1 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN111653302A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 赵鑫鑫;姜凯;刘强;金长新 | 申请（专利权）人： | 浪潮集团有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4093 | 分类号： | G11C11/4093;G11C11/4096 |
| 代理公司： | 济南信达专利事务所有限公司 37100 | 代理人： | 姜明 |
| 地址： | 250100 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 性能 ddr 读数 控制电路 | ||
1.一种高性能DDR读数据控制电路，其特征在于，包括波形队列控制模块、DDR读时序控制接口模块、DDR输出数据缓冲队列模块、波形数据帧信息存储模块、波形数据整形模块、波形数据暂存模块和数模转换模块；
所述波形队列控制模块分别与DDR读时序控制接口模块与波形数据帧信息存储模块连接，所述DDR读时序控制接口模块还与DDR输出数据缓冲队列模块连接，DDR输出数据缓冲队列模块与波形数据整形模块或波形数据暂存模块连接；
所述波形数据帧信息存储模块还依次与波形数据整形模块和波形数据暂存模块连接；
所述数模转换模块与波形数据整形模块连接。
2.根据权利要求1所述的一种高性能DDR读数据控制电路，其特征在于，所述波形队列控制模块用于解析用户配置的波形使用参数，向DDR读时序控制接口模块和波形数据帧信息存储模块发送控制指令，并生成波形数据帧信息发送至波形数据帧信息存储模块。
3.根据权利要求1或2所述的一种高性能DDR读数据控制电路，其特征在于，所述DDR读时序控制接口模块用于根据波形队列控制模块发出的指令向DDR内存颗粒发出符合芯片时序要求的读指令。
4.根据权利要求3所述的一种高性能DDR读数据控制电路，其特征在于，所述DDR输出数据缓冲队列模块用于接收DDR内存颗粒输出的数据，根据指令将缓冲的数据发送给波形数据整形模块。
5.根据权利要求4所述的一种高性能DDR读数据控制电路，其特征在于，DDR输出数据缓冲队列模块或根据指令将缓冲的数据发送给波形数据暂存模块。
6.根据权利要求5所述的一种高性能DDR读数据控制电路，其特征在于，所述波形数据帧信息存储模块用于存储DDR输出每一帧数据的有效位波形状态信息。
7.根据权利要求6所述的一种高性能DDR读数据控制电路，其特征在于，所述波形数据整形模块用于每接收一帧波形数据就从波形数据帧信息存储模块读取对应的数据帧信息，根据数据帧信息对波形数据进行整形后发送给数模转换模块。
8.根据权利要求7所述的一种高性能DDR读数据控制电路，其特征在于，所述波形数据暂存模块用于暂时存储符合条件的波形数据。
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