[发明专利]一种硅基宽光谱光电探测器的制备方法

权利要求书

1.一种硅基宽光谱光电探测器的制备方法，包括：

（1）提供n型掺杂硅衬底，该衬底为P掺杂的半导体Si，100晶面，选择厚度为0.5mm，电阻率1-10Ω.cm；为合适的硅衬底进行标准RCA工艺清洗，并用HF：H₂O=1：20的体积比的HF溶液进行漂洗，去除自然氧化层；

（2）在硅衬底底侧进行掺杂P离子，掺杂浓度为5×10¹⁵ cm^-2，掺杂能量为20keV，形成N⁺区域并在真空环境或惰性气氛保护下1000℃下退火5s消除晶格损伤；

（3）在N⁺区域底侧用电子束蒸发沉积金属接触材料Al，厚度为100 nm，然后在真空环境或惰性气氛保护下经过400℃下退火30s，在硅表面使金属硅反应形成金属硅化物；

（4）在硅顶侧进行场效应钝化，通过溶液旋凃法沉积一层ZnO层，沉积的厚度为10 nm，形成钝化层；

（5）在钝化层表面形成n型/p型双层量子点；其中n型量子点为溶液法形成的PbS胶体量子点用四丁基碘化铵TBAI进行配体交换而得，厚度为150nm，p型量子点为溶液法形成的PbS胶体量子点用1-2-乙二硫醇EDT进行配体交换而得，厚度为25nm；

（6）在量子点表面通过常温磁控溅射形成ITO材料，其厚度为120nm，并且通过硬掩模工艺进行图形化。

2.一种如权利要求1所述方法制备得到的硅基宽光谱光电探测器。

3.一种如权利要求1所述方法制备得到的硅基宽光谱光电探测器的应用。