[发明专利]白光发光二极管器件及其制作方法在审
申请号: | 202010501425.6 | 申请日: | 2020-06-04 |
公开(公告)号: | CN111725409A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 汪国杰 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 白光 发光二极管 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种白光发光二极管器件,其特征在于:所述白光发光二极管器件包括一阳极层、一阴极层及一发光层,其中所述阳极层及所述阴极层相对设置,所述发光层位于所述阳极层及所述阴极层之间,而且所述发光层包含无机荧光材料及有机荧光材料,所述无机材料的发光的波长与所述有机材料的反射光的波长不同。
2.如权利要求1所述的白光发光二极管器件,其特征在于:所述无机荧光材料为钙钛矿型荧光材料,所述有机荧光材料为热活化延迟荧光材料。
3.如权利要求2所述的白光发光二极管器件,其特征在于:所述热活化延迟荧光材料的最高占据分子轨道的能级的绝对值大于所述钙钛矿型荧光材料的价电带的绝对值。
4.如权利要求2所述的白光发光二极管器件,其特征在于:所述热活化延迟荧光材料的最低未占分子轨道的能级的绝对值小于所述钙钛矿型荧光材料的导电带的绝对值。
5.如权利要求1所述的白光发光二极管器件,其特征在于:所述白光发光二极管器件还包括一空穴传输层、一空穴注入层、一电子传输层及一电子注入层,其中所述空穴注入层形成在所述阳极层上,所述空穴传输层形成在所述空穴注入层上,所述发光层形成在所述空穴传输层上,所述电子传输层形成在所述发光层上,所述电子注入层形成在所述电子传输层上,所述阴极层形成在所述电子注入层上。
6.如权利要求1所述的白光发光二极管器件,其特征在于:所述发光层是通过将所述无机荧光材料及所述有机荧光材料溶解于一溶剂中,再经喷墨打印的方式形成。
7.如权利要求1所述的白光发光二极管器件,其特征在于:所述发光层是通过将所述无机荧光材料溶解于一第一溶剂中,将所述有机荧光材料溶解于一第二溶剂中,再经喷墨打印的方式将所述第一溶剂及所述第二溶剂同时打印于同一像素中而形成。
8.一种如权利要求1所述的白光发光二极管器件的制作方法,其特征在于:所述制作方法包括步骤:
一第一形成步骤,通过喷墨打印的方式形成一发光层;及
一第二形成步骤,相对设置一阳极层及一阴极层,其中所述发光层位于所述阳极层及所述阴极层之间,而且所述发光层包含无机荧光材料及有机荧光材料,所述无机材料的发光的波长与所述有机材料的反射光的波长不同。
9.如权利要求8所述的制作方法,其特征在于:在所述第一形成步骤中,所述发光层是通过将所述无机荧光材料及所述有机荧光材料溶解于一溶剂中,再经喷墨打印的方式形成。
10.如权利要求8所述的制作方法,其特征在于:在所述第一形成步骤中,所述发光层是通过将所述无机荧光材料溶解于一第一溶剂中,将所述有机荧光材料溶解于一第二溶剂中,再经喷墨打印的方式将所述第一溶剂及所述第二溶剂同时打印于同一像素中而形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择