[发明专利]一种闪存设备的编程方法

说明书

一种闪存设备的编程方法，包括以下步骤：步骤S1、预先设置闪存设备的储存单元在进行校验操作时所采用的校验电压和该储存单元在进行编程操作时的环境温度之间的函数关系；其中，函数关系不是常数函数关系；步骤S2、在将数据编程到闪存设备的储存单元时，获取当前的环境温度；根据当前的环境温度和所述函数关系，计算得到目标校验电压值；步骤S3、采用目标校验电压值对闪存设备的储存单元进行校验操作。本发明的闪存设备的编程方法设计新颖，实用性强。

技术领域

本发明涉及存储技术领域，尤其涉及一种闪存设备的编程方法。

背景技术

Nand-flash存储器是flash存储器的一种，具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。Nand-flash存储器的应用场景往往比较复杂，对于芯片而言，在其使用寿命期间，可能会出现高温、常温和低温的情况。这导致Nand-flash存储器在高温、常温和低温下均可能进行读操作、编程操作和擦除操作。

Nand-flash存储器采用浮栅结构，将电子放置在浮栅结构中被认为是编程/写入操作，而去除电子被认为是擦除操作。

浮栅结构中的电子在不同的温度下会表现出不同的特性。一般来说，对于同一储存单元，随着温度越高，阈值电压相应地降低。现有校验步骤采用固定的校验电压，会导致Nand-flash存储器寿命或者性能变差。

发明内容

本发明针对以上技术问题，提供一种闪存设备的编程方法。

本发明所提出的技术方案如下：

本发明提出了一种闪存设备的编程方法，包括以下步骤：

步骤S1、预先设置闪存设备的储存单元在进行校验操作时所采用的校验电压和该储存单元在进行编程操作时的环境温度之间的函数关系；其中，所述函数关系表示为：若所述环境温度处于常温区间，所述校验电压为第一校验电压值；若所述环境温度处于高温区间，所述校验电压为第二校验电压值；若所述环境温度处于低温区间，所述校验电压为第三校验电压值；其中，第二校验电压值小于第一校验电压值，第一校验电压值小于第三校验电压值；

并提出一种闪存设备的温度采样调节电路；该温度采样调节电路包括运算放大器、第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器以及NMOS管；其中，运算放大器的同相输入端用于接收带隙基准电压；运算放大器的反相输入端经第二电阻器接地；运算放大器的输出端经第一电阻器接运算放大器的反相输入端；运算放大器的输出端还经第三电阻器接NMOS管的漏极，NMOS管的源极接地，NMOS管的栅极用于接收带隙基准电压；NMOS管的漏极还用于输出目标校验电压值；其中，第三电阻器的电阻值可调；第三电阻器采用热敏电阻器或者变阻器；

步骤S2、在将数据编程到闪存设备的储存单元时，利用第三电阻器的特性获取当前的环境温度；根据当前的环境温度和所述函数关系，通过温度采样调节电路计算并输出与当前的环境温度对应的校验电压，将其记为目标校验电压值；

步骤S3、采用目标校验电压值对闪存设备的储存单元进行校验操作。

本发明上述的编程方法中，步骤S3还包括：调整NMOS管的尺寸。

本发明的闪存设备的编程方法，基于编程时不同环境温度，对应采用不同的校验电压，即采用不恒定的校验电压，从而提高芯片寿命、改善芯片的性能。本发明的闪存设备的编程方法设计新颖，实用性强。

附图说明

图1示出了本发明优选实施例的闪存设备的编程方法的校验电压的示意图；

图2示出了本发明优选实施例的闪存设备的电路示意图；

图3示出了图2所示的闪存设备中不同尺寸的NMOS管M1的源漏极间电压V1和电流i1的函数示意图。