[发明专利]一种光栅及其特性调整方法、设备

权利要求书

1.一种光栅，其特征在于，包括：

第一光波导区、第二光波导区以及由多个光波导组成的阵列波导区；所述第一光波导区与阵列波导区相连；所述第二光波导区与阵列波导区相连；

所述光栅具有以下任一项或任意组合的特征：所述第一光波导区中的光波导的折射率能够改变，所述第二光波导区中的光波导的折射率能够改变，所述阵列波导区中的光波导的折射率能够改变，所述阵列波导区中的光波导能够消除。

2.如权利要求1所述的光栅，其特征在于，所述光栅为阵列波导光栅。

3.如权利要求1或2所述的光栅，其特征在于，所述第一光波导区为所述光栅的输入自由传输波导区、输入平板波导区或输入星形耦合区中的任一种；

所述第二光波导区为所述光栅的输出自由传输波导区、输出平板波导区或输出星形耦合区中的任一种。

4.如权利要求1至3任一项所述的光栅，其特征在于，所述第一光波导区、所述第二光波导区以及所述阵列波导区中任一项或任意组合中的光波导由光材料制成，所述光材料为液晶材料、电光材料，或磁流体材料。

5.如权利要求4所述的光栅，其特征在于，所述光栅还包括：刻槽层；

所述刻槽层中刻蚀有与所述第一光波导区、第二光波导区以及所述阵列波导区中任一项或任意组合的光波导对应的槽；

所述刻槽层用于形成所述第一光波导区、第二光波导区以及所述阵列波导区中任一项或任意组合的光波导的包层。

6.如权利要求1至5任一项所述的光栅，其特征在于，所述光栅还包括控制部件；

所述控制部件，用于改变所述目标波导区中的光波导的折射率，和/或，消除所述阵列波导区中的部分光波导；

其中，所述目标波导区为所述第一光波导区、所述第二光波导区或所述阵列波导区中的任一项或任意组合。

7.如权利要求6所述的光栅，其特征在于，所述控制部件包括电极层；

所述电极层用于提供电压或电场，使得所述光栅实现以下至少一项变化：改变所述目标波导区中的光波导的折射率，消除所述阵列波导区中的部分光波导。

8.如权利要求7所述的光栅，其特征在于，所述电极层中包含以下任一项或任意组合：

所述第一光波导区中的光波导对应的电极区；所述第二光波导区中的光波导对应的电极区；所述阵列波导区中的光波导对应的电极区。

9.如权利要求6至8任一项所述的光栅，其特征在于，所述控制部件包括磁极层；

所述磁极层用于提供磁场，使得所述光栅实现以下至少一项变化：改变所述目标波导区中的光波导的折射率，消除所述阵列波导区中的部分光波导。

10.如权利要求9所述的光栅，其特征在于，所述磁极层中包含以下任一项或任意组合：

所述第一光波导区中的光波导对应的磁极区；所述第二光波导区中的光波导对应的磁极区；所述阵列波导区中的光波导对应的磁极区。

11.如权利要求6至10任一项所述的光栅，其特征在于，所述控制部件包括温度控制层；

所述温度控制层用于提供温度，使得所述光栅实现以下至少一项变化：改变所述目标波导区中的光波导的折射率，消除所述阵列波导区中的部分光波导。

12.如权利要求11所述的光栅，其特征在于，所述温度控制层中包含以下任一项或任意组合：

所述第一光波导区中的光波导对应的温度控制区；所述第二光波导区中的光波导对应的温度控制区；所述阵列波导区中的光波导对应的温度控制区。

13.如权利要求5所述的光栅，其特征在于，所述光栅还包括：覆层；所述覆层用于密封所述光材料。