[发明专利]基板处理装置及其控制方法在审
申请号: | 202010470221.0 | 申请日: | 2020-05-28 |
公开(公告)号: | CN112038258A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 枇杷聪;冈村聪;五师源太郎 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 及其 控制 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其中,
该基板处理装置具有:
处理容器,其具有能够收纳被液体湿润了表面的状态的基板的处理空间;
处理流体供给部,其向所述处理空间中朝向所述液体供给超临界状态的处理流体;
第1排气管线,其与第1排气源连接,利用第1排气压使所述处理空间排气;
第2排气管线,其与有别于所述第1排气源的第2排气源连接,在所述第1排气源和所述处理空间之间与所述第1排气管线连接,并利用第2排气压经由所述第1排气管线使所述处理空间排气;以及
控制部,其控制所述第2排气压,
所述超临界状态的处理流体与所述液体接触而对所述基板进行干燥,
所述控制部在所述处理流体供给部停止向所述处理空间供给所述处理流体的期间,使所述第2排气压高于所述第1排气压。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述控制部在所述基板的干燥结束之后,使所述第2排气压高于所述第1排气压。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述控制部在所述处理流体供给部开始供给所述处理流体之前,使所述第2排气压高于所述第1排气压。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
该基板处理装置具有设于所述第1排气管线的第1开闭阀,
所述第2排气管线连接于所述第1开闭阀和所述第1排气源之间。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其中,
该基板处理装置具有设于所述第1排气管线的所述第1开闭阀和所述第1排气源之间的背压阀,
所述第2排气管线连接于所述背压阀和所述第1排气源之间。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其中,
所述控制部在使所述第2排气压高于所述第1排气压时,使所述第1开闭阀以及所述背压阀设为打开状态。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述第1排气管线具有:
第1排气管,其供所述处理流体流动;以及
第2排气管,其供非活性气体流动。
8.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述第2排气源具有喷射器。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其中,
该基板处理装置具有:
排气流体供给部,其向所述喷射器供给流体;以及
第2开闭阀,其设于所述排气流体供给部和所述喷射器之间,由所述控制部进行控制。
10.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述第2排气源具有真空泵。
11.一种基板处理装置的控制方法,其中,
所述基板处理装置具有:
处理容器,其具有能够收纳被液体湿润了表面的状态的基板的处理空间;
处理流体供给部,其向所述处理空间中朝向所述液体供给超临界状态的处理流体;
第1排气管线,其与第1排气源连接,利用第1排气压使所述处理空间排气;
第2排气管线,其与有别于所述第1排气源的第2排气源连接,在所述第1排气源和所述处理空间之间与所述第1排气管线连接,并利用第2排气压经由所述第1排气管线使所述处理空间排气;以及
控制部,其控制所述第2排气压,
所述超临界状态的处理流体与所述液体接触而对所述基板进行干燥,
在所述处理流体供给部停止向所述处理空间供给所述处理流体期间,所述第2排气压高于所述第1排气压。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010470221.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造