[发明专利]提升固态硬盘数据通路可靠性的方法、装置、计算机设备及存储介质有效

专利信息
申请号: 202010467759.6 申请日: 2020-05-28
公开(公告)号: CN111625199B 公开(公告)日: 2023-07-04
发明(设计)人: 高湾湾;臧鑫;冯元元 申请(专利权)人: 深圳忆联信息系统有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F11/10
代理公司: 深圳市精英专利事务所 44242 代理人: 巫苑明
地址: 518067 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 提升 固态 硬盘数据 通路 可靠性 方法 装置 计算机 设备 存储 介质
【说明书】:

发明涉及提升固态硬盘数据通路可靠性的方法、装置、计算机设备及存储介质;其中,方法,包括:NVMe接收主机发出的命令;判断主机发出的命令是否为写命令;若是,NVMe将待写入数据从主机取出,对待写入数据增加校验位,将增加校验位后的待写入数据存储至DRAM,将写命令传递至FTL;更新映射表,将写命令传递至NFC;NFC从DRAM中取出待写入数据,对待写入数据进行校验;判断待写入数据校验是否通过;若通过,将待写入数据写入闪存中;若未通过,则进行错误处理。本发明通过对写入DRAM的数据加入校验位,当数据被读取时进行校验,校验通过才能继续操作,校验失败进行错误处理,有效提升了数据通路可靠性。

技术领域

本发明涉及固态硬盘数据可靠性技术领域,更具体地说是指提升固态硬盘数据通路可靠性的方法、装置、计算机设备及存储介质。

背景技术

作为一种存储类型的固态硬盘,SSD(Solid State Disk,固态硬盘)的数据安全是非常重要的,SSD主要由主控、缓存、闪存模块组成,闪存掉电不易失,主要是作为数据存储的介质,而缓存掉电易失,主要服务与数据通路;固态硬盘的数据安全主要包括闪存数据保护、数据通路保护。

现有的数据从Host(主机)到Flash(闪存)会经过DRAM(Dynamic Random AccessMemory,动态随机存取存储器),而且FTL(Flash Translation Layer,闪存转换算法模块)映射表也会占据DRAM的大部分空间,相比SRAM(Static Random-Access Memory,静态随机存取存储器)而言,DRAM更容易因比特翻转而出错;因此,数据在传输过程中,极有可能因为DRAM的比特翻转,而发生错误,如果Host数据出错,则错误数据会被当成正确数据被存到Flash中,如果映射表发生错误,则数据的存取就会发生偏差,如果这些错误不能加以修正,就会影响固态硬盘的数据可靠性和完整性。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷,提供提升固态硬盘数据通路可靠性的方法、装置、计算机设备及存储介质。

为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:

提升固态硬盘数据通路可靠性的方法,包括以下步骤:

NVMe接收主机发出的命令;

判断主机发出的命令是否为写命令;

若为写命令,则NVMe将待写入数据从主机取出,并对待写入数据增加校验位,将增加校验位后的待写入数据存储至DRAM,同时将写命令传递至FTL;

FTL根据写命令更新映射表,并将写命令传递至NFC;

NFC从DRAM中取出待写入数据,并对待写入数据进行校验;

判断待写入数据校验是否通过;

若是通过,将待写入数据写入闪存中;

若未通过,则进行错误处理。

其进一步技术方案为:所述步骤“判断主机发出的命令是否为写命令”中,若不为写命令,则NVMe将主机发出的命令传递至FTL;

FTL根据命令查询映射表中的对应项,将映射结果更新至命令中,并将更新后的命令传递至NFC;

NFC将待读取数据从闪存中读出,并对待读取数据增加校验位,将增加校验位后的待读取数据存储至DRAM,同时将命令处理结果通过FTL传递至NVMe;

NVMe从DRAM中取出待读取数据,并对待读取数据进行校验;

判断待读取数据校验是否通过;

若是通过,将待读取数据搬移至主机缓存中;

若未通过,则进行错误处理。

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