[发明专利]阵列基板制备方法和半透光光罩

权利要求书

1.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成有源层；

在所述有源层上涂布第一光阻层；

采用光透过半透光光罩对所述第一光阻层进行光刻处理，得到第一光阻图案；所述半透光光罩包括不透光区域、半透光区域和全透光区域，所述不透光区域的透光率小于所述半透光区域的透光率，所述半透光区域的透光率小于所述全透光区域的透光率；所述有源层包括沟道区和导体区，所述不透光区域与所述沟道区对应，所述半透光区域与所述导体区对应；所述第一光阻图案包括与所述不透光区域对应的第一光阻区域、以及与所述半透光区域对应的第二光阻区域，所述第一光阻区域的厚度大于所述第二光阻区域的厚度；

对所述有源层和所述第一光阻图案进行刻蚀，得到第二光阻图案和有源层图案；所述第二光阻图案对应设置于所述沟道区；

在所述有源层图案以及所述第二光阻图案上形成源漏极层；

在所述源漏极层上涂布第二光阻层；

采用光透过光罩对所述第二光阻层进行光刻处理，得到第三光阻图案；所述第三光阻图案对应所述源漏极层的源漏极图案；

对所述源漏极层进行刻蚀，得到源漏极层图案。

2.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述采用光透过半透光光罩对所述第一光阻层进行光刻处理，得到第一光阻图案的步骤，包括：

对位所述半透光光罩和阵列基板，以使得所述不透光区域与所述沟道区对应，所述半透光区域与所述导体区对应；

采用光照对所述第一光阻层进行光刻处理，得到第一光阻图案。

3.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述第一光阻区域的厚度与所述第二光阻区域的厚度的比值范围为四分之一至二分之一。

4.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述采用光透过半透光光罩对所述第一光阻层进行光刻处理，得到第一光阻图案的步骤，包括：采用紫外光透过半透光光罩对第一光阻层进行照射。

5.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成有源层的步骤之前，还包括：

在所述衬底上形成栅极层，并刻蚀所述栅极层得到栅极层图案；

在所述栅极层图案上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上沉积非晶硅，形成有源层。

6.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成有源层的步骤之前，还包括：

在所述衬底上形成栅极层，并刻蚀所述栅极层得到栅极层图案；

在所述栅极层图案上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上沉积氧化铟锌，形成有源层。

7.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述在所述源漏极层上涂布第二光阻层的步骤，包括：

提供与所述第一光阻层相同的材料；

在所述源漏极层上涂布所述材料，得到第二光阻层。

8.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述采用光透过光罩对第二光阻层进行照射，得到第三光阻图案的步骤，包括：

设置所述光罩的中间区域为全透光区域；

设置所述全透光区域的两侧为不透光区域；所述全透光区域的透光率大于所述不透光区域的透光率；

设置所述不透光区域的两侧为全透光区域，得到所述光罩；

采用光照透过所述光罩照射第二光阻层，得到第三光阻图案。

9.一种半透光光罩，其特征在于，用于制备如权利要求1至8任一所述的阵列基板制备方法制备的有源层，所述半透光光罩包括：

不透光区域，与所述有源层的沟道区对应；

半透光区域，设置于所述不透光区域两侧，所述半透光区域与所述有源层的导体区对应；

全透光区域，设置于所述半透光区域两侧；

其中，所述不透光区域的透光率小于所述半透光区域的透光率，所述半透光区域的透光率小于所述全透光区域的透光率。

10.如权利要求9所述的半透光光罩，其特征在于，所述不透光区域的透光率范围为0至5％，所述半透光区域的透光率范围为50％至80％，所述全透光区域的透光率范围为90％至100％。