[发明专利]二硫代氨基甲酸类化合物在化学镀钯中的应用以及化学镀钯组合物有效
申请号: | 202010464309.1 | 申请日: | 2020-05-27 |
公开(公告)号: | CN111621773B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 黎小芳;李小兵;黄憬韬;陈光辉;张俊林;赖海祥;万会勇;黄辉祥 | 申请(专利权)人: | 广东东硕科技有限公司 |
主分类号: | C23C18/44 | 分类号: | C23C18/44 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 王南杰 |
地址: | 510280 广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 二硫代 氨基 甲酸 化合物 化学 中的 应用 以及 组合 | ||
本发明涉及一种二硫代氨基甲酸类化合物在化学镀钯中的应用以及化学镀钯组合物。采用具有通式(Ⅰ)所示的结构的二硫代氨基甲酸类化合物为原料制备化学镀钯组合物,然后采用该化学镀钯组合物对待镀钯件进行镀钯处理。将二硫代氨基甲酸类化合物应用到化学镀钯中,能够有效提高钯离子的沉积速度,缩短化学镀钯处理的时间,提高产能。另外,二硫代氨基甲酸类化合物能够稳定化学镀钯组合物,降低组合物中钯离子析出的风险,从而提高化学镀钯组合物的稳定性,保证镀钯效果。
技术领域
本发明涉及化学镀技术领域,尤其是涉及一种二硫代氨基甲酸类化合物在化学镀钯中的应用以及化学镀钯组合物。
背景技术
在印制电路板、集成电路或晶圆等制造过程中,由于会涉及到复杂的电路加工,为了提高电路之间的稳定性,往往会需要对电路板或晶圆等进行化学镀钯处理以提高金属的抗腐蚀和抗氧化等性能。
然而,传统的化学镀钯工艺中,钯离子的沉积速度普遍较慢,在实际加工过程中,为了获得较厚的钯层,往往需要延长化学镀钯的加工时间或者升高化学镀钯液的温度。尽管这样可以在一定程度上得到厚度较大的钯层,但是延长化学镀钯的加工时间就会影响生产线的产能,不利于产能的提升;升高化学镀钯液的温度能够在一定程度上提高钯离子的沉积速度,但是温度的升高会导致化学镀钯液不稳定,影响化学镀钯的性能,进而给化学镀钯的效果带来不利影响。
发明内容
基于此,有必要提供一种二硫代氨基甲酸类化合物在化学镀钯中的应用,通过所述二硫代氨基甲酸类化合物在化学镀钯中的应用,能够有效提高化学镀钯过程中钯离子的沉积速度。
另外,还有必要提供一种化学镀钯组合物,所述化学镀钯组合物的原料包括所述二硫代氨基甲酸类化合物,通过所述化学镀钯组合物对待镀钯件进行化学镀钯处理,能够有效提高钯离子的沉积速度,并且所述化学镀钯组合物具有良好的稳定性。
除此之外,还有必要提供一种化学镀钯方法,所述化学镀钯方法采用所述化学镀钯组合物对待镀钯件进行化学镀钯处理,能够有效提高钯离子的沉积速度。
本发明解决上述技术问题的具体方案如下:
本发明的一个目的在于提供一种二硫代氨基甲酸类化合物在化学镀钯中的应用,所述二硫代氨基甲酸类化合物具有通式(Ⅰ)所示的结构:
其中,R1、R2独立地选自氢、苯基、取代或未取代的胺基、或取代或未取代的C1~C8烷基;当R1、R2独立地选自取代的胺基时,胺基上的取代基为C1~C4烷基;当R1、R2独立地选自取代的C1~C8烷基时,C1~C8烷基上的取代基为羟基、羧基、磺酸基、胺基、C1~C4烷氧基或C1~C4烷基取代的氨基;
R3选自氢、钠离子、钾离子、铵离子、氰基、或取代或未取代的C1~C8烷基;当R3选自取代的C1~C8烷基时,C1~C8烷基上的取代基为羟基、羧基、磺酸基、胺基、硝基或C1~C4酯基。
在其中一个实施例中,R1、R2独立地选自氢、苯基、取代或未取代的C1~C4烷基;当R1、R2独立地选自取代的C1~C4烷基时,C1~C4烷基上的取代基为羟基、羧基、磺酸基或胺基;
R3选自氢、取代或未取代的C1~C4烷基;当R3选自取代的C1~C4烷基时,C1~C4烷基上的取代基为羟基、羧基、磺酸基或胺基。
本发明的另一目的在于提供一种化学镀钯组合物,所述化学镀钯组合物的原料包括具有通式(Ⅰ)所示的结构的二硫代氨基甲酸类化合物。
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