[发明专利]二硫代氨基甲酸类化合物在化学镀钯中的应用以及化学镀钯组合物有效

专利信息
申请号: 202010464309.1 申请日: 2020-05-27
公开(公告)号: CN111621773B 公开(公告)日: 2022-08-16
发明(设计)人: 黎小芳;李小兵;黄憬韬;陈光辉;张俊林;赖海祥;万会勇;黄辉祥 申请(专利权)人: 广东东硕科技有限公司
主分类号: C23C18/44 分类号: C23C18/44
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 王南杰
地址: 510280 广东省广州*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 二硫代 氨基 甲酸 化合物 化学 中的 应用 以及 组合
【权利要求书】:

1.一种二硫代氨基甲酸类化合物在化学镀钯中的应用,其特征在于:所述二硫代氨基甲酸类化合物具有通式(I)所示的结构:

其中,R1、R2独立地选自氢、苯基、取代或未取代的胺基、或取代或未取代的C1~C8烷基;当R1、R2独立地选自取代的胺基时,胺基上的取代基为C1~C4烷基;当R1、R2独立地选自取代的C1~C8烷基时,C1~C8烷基上的取代基为羟基、羧基、磺酸基、胺基、C1~C4烷氧基或C1~C4烷基取代的胺基;

R3选自氰基、或取代或未取代的C1~C8烷基;当R3选自取代的C1~C8烷基时,C1~C8烷基上的取代基为羟基、羧基、磺酸基、胺基、硝基或C1~C4酯基。

2.如权利要求1所述的应用,其特征在于:R1、R2独立地选自氢、苯基、取代或未取代的C1~C4烷基;当R1、R2独立地选自取代的C1~C4烷基时,C1~C4烷基上的取代基为羟基、羧基、磺酸基或胺基;

R3选自取代或未取代的C1~C4烷基;当R3选自取代的C1~C4烷基时,C1~C4烷基上的取代基为羟基、羧基、磺酸基或胺基。

3.一种化学镀钯组合物,其特征在于:所述化学镀钯组合物的原料包括具有通式(I)所示的结构的二硫代氨基甲酸类化合物。

4.如权利要求3所述的化学镀钯组合物,其特征在于:所述化学镀钯组合物的原料还包括钯源、络合剂、还原剂以及溶剂。

5.如权利要求4所述的化学镀钯组合物,其特征在于:在所述化学镀钯组合物中,所述二硫代氨基甲酸类化合物的浓度为0.1mg/L~20mg/L,所述钯源提供的钯离子的浓度为100mg/L~1500mg/L,所述络合剂的浓度为5g/L~200g/L,所述还原剂的浓度为1g/L~30g/L。

6.如权利要求4~5任一项所述的化学镀钯组合物,其特征在于:所述络合剂为脂肪胺、脂肪酸、脂肪酸盐、含氮脂肪酸以及含氮脂肪酸盐中的至少一种。

7.如权利要求4~5任一项所述的化学镀钯组合物,其特征在于:所述还原剂为次磷酸类化合物以及甲酸类化合物中的至少一种。

8.一种化学镀钯方法,其特征在于:包括如下步骤:

采用权利要求3~7任一项所述的化学镀钯组合物对待镀钯件进行化学镀钯处理。

9.如权利要求8所述的化学镀钯方法,其特征在于:还包括如下步骤:在所述化学镀钯处理之前,将所述化学镀钯组合物的pH值调节为4~9。

10.如权利要求8~9任一项所述的化学镀钯方法,其特征在于:所述待镀钯件为印制电路板、集成电路板或晶圆。

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