[发明专利]柔性光探测器及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种柔性光探测器，其特征在于，所述柔性光探测器包括柔性基底，结合在所述柔性基底表面的相对且彼此间隔设置的第一电极和第二电极，结合在所述第一电极和所述第二电极之间的所述柔性基底的表面的导电层；结合在所述第一电极、所述第二电极和所述导电层的背离所述柔性基底的表面的空穴传输层；结合在所述空穴传输层背离所述第一电极、所述第二电极和所述导电层的表面的钙钛矿层；结合在所述钙钛矿层背离所述空穴传输层的表面的绝缘层；其中，所述空穴传输层的材料具有亲水基团，所述钙钛矿层的材料具有氨基。

2.根据权利要求1所述的柔性光探测器，其特征在于，所述空穴传输层的材料选自聚-双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺；和/或，

所述绝缘层的材料选自聚甲基丙烯酸甲酯。

3.根据权利要求1所述的柔性光探测器，其特征在于，所述导电层的材料选自石墨烯。

4.根据权利要求3所述的柔性光探测器，其特征在于，所述石墨烯选择层数为1～20层的石墨烯。

5.根据权利要求1～4任一所述的柔性光探测器，其特征在于，所述第一电极和第二电极的材料选自Cr/Au混合金属电极。

6.根据权利要求1～4任一所述的柔性光探测器，其特征在于，在所述钙钛矿层远离所述绝缘层的一侧还结合有有机聚合物层，所述有机聚合物层的厚度为20～25nm。

7.根据权利要求1～4任一所述的柔性光探测器，其特征在于，所述钙钛矿层的厚度为280～300nm。

8.根据权利要求1～4任一所述的柔性光探测器，其特征在于，所述绝缘层的厚度为20～25nm。

9.一种柔性光探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供柔性基底，在柔性基底的表面制备第一电极和第二电极，并使第一电极和第二电极相对并间隔设置；

在所述第一电极和所述第二电极之间的所述柔性基底的表面制备导电层；

在所述第一电极、所述第二电极和所述导电层的背离所述柔性基底的表面制备空穴传输层；其中，所述空穴传输层的材料具有亲水基团；

在所述空穴传输层背离所述第一电极、所述第二电极和所述导电层的表面制备钙钛矿层；其中，所述钙钛矿层的材料具有氨基；

在所述钙钛矿层背离所述空穴传输层的表面制备绝缘层，得到所述柔性光探测器。

10.一种柔性光探测器的应用，其特征在于，所述柔性光探测器应用于硅电子工业，其中，所述柔性光探测器是上述权利要求1～8任一所述的柔性光探测器或由权利要求9所述的柔性光探测器的制备方法制备得到。