[发明专利]一种可加热的蜂窝式多通道进气结构

说明书

本发明公开了一种可加热的蜂窝式多通道进气结构，涉及CVD设备进气结构技术领域。本发明包括多个进气管单元，进气管单元的截面为正六边形，相邻进气管单元的外壁相互连接形成蜂窝状。所有进气管单元的同一侧设置有密封盖，密封盖贯穿设置有与进气管单元内部相互连通的支路管，至少一个支路管形成一个支路单元，每一支路单元均连通有集中管。

技术领域

本发明涉及CVD设备进气结构技术领域，具体涉及一种可加热的蜂窝式多通道进气结构。

背景技术

CVD是Chemical Vapor Deposition的简称，是指高温下的气相反应，例如，金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解，氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。

碳化硅(SiC)材料是继第一代半导体材料硅(Si)和第二代半导体(砷化镓GaAs)后的第三代宽禁带半导体材料。碳化硅晶体结构具有同质多型的特点，其基本结构是Si-C的四面体结构，属于密堆积结构。其性能具有更高的禁带宽度、高临界击穿电场、高导热率、高载流子饱和漂移速度等优越的性能，在半导体照明、电力电子器件、激光器、探测器等领域应用中蕴含着巨大的前景。

在所有的化学气象沉积领域，对反应气体的控制尤为重要，精准度高、均匀性高的反应室气体氛围对工艺沉浸薄膜的质量参数起关键作用，拥有良好的可重复性和灵活的可调节性是量产型工艺和科研型工艺的重要条件。

现有CVD设备的进气通道多为方形，边角均为90°，当气体以不同角度触碰边角时，容易产生涡流，不利于气体输送的稳定性；由于需要输送多种不同的气体，需要设置多个相互独立的进气通道，若进气通道采用圆形，弧形区域的密合度低。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明提供一种可加热的蜂窝式多通道进气结构，以避免采用传统的方形进气通道在边角处产生涡流，提高气体输送的稳定性。

本发明具体采用以下技术方案：

本发明的可加热的蜂窝式多通道进气结构，包括多个进气管单元，进气管单元的截面为正六边形，相邻进气管单元的外壁相互连接形成蜂窝状。

本发明作为进一步优选的：所有进气管单元的同一侧设置有密封盖，密封盖贯穿设置有与进气管单元内部相互连通的支路管，至少一个支路管形成一个支路单元，每一支路单元均连通有集中管。

本发明作为进一步优选的：集中管配设有气体流量计。

本发明作为进一步优选的：进气管单元内壁开设有多个放置槽，放置槽内设置有加热装置。

本发明作为进一步优选的：放置槽与进气管单元的中心线相互平行。

本发明作为进一步优选的：加热装置为电加热丝。

本发明作为进一步优选的：进气管单元的外壁设置有隔热层。

本发明作为进一步优选的：隔热层采用二氧化锆、三氧化二钇或氧化铝制成。

本发明的有益效果体现在：

1、本发明的进风通道采用截面形状为正六边形的进气管单元，进气管单元的边角为120°，相比于边角为90°的方形，降低涡流产生的几率。同时相邻的进气管单元连接没有空隙，保证了密合度高，减少空间的浪费。

2、进气管单元的进气端设置有密封盖，密封盖设置有支路管，任意数量的支路管形成一个支路单元，即可将任意数量的进气管单元分隔为多组，通过集中管将同一种气体送入反应设备，使进入反应设备的气体能从不同高度位置进入，能够起到不同气体加速混合的作用。集中管配设有气体流量计，能够根据所沉积膜厚的结果来进行气体流量配比的优化，调整出合适的工艺配方。每一进气管单元均设置有电加热丝，每个进气管单元内部流通的气体受热更为均匀，不同的预热温度，可调节该区域的工艺反应速率，同样可调整沉积膜厚的均匀性。