[发明专利]一种半导体生产中废水处理系统在审

专利信息
申请号: 202010397651.4 申请日: 2020-05-12
公开(公告)号: CN111573803A 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 李秀碧 申请(专利权)人: 李秀碧
主分类号: C02F1/52 分类号: C02F1/52
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215500 江苏省苏州市常熟市经济技*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 生产 废水处理 系统
【说明书】:

发明公开了一种半导体生产中废水处理系统,其结构包括回用处理池、废水处理池、固定框架,回用处理池与废水处理池均安装在固定框架内,废水处理池的出水端与回用处理池相通,废水处理池包括池口、投放机构、池槽、甲板、出液口,池口与池槽、出液口为一体化结构,池口的内部设置有投放机构,本发明在池口内设有投放机构,投放机构设有活动封口件打开腔口,活动封口件的打开依靠承接添加剂的容器打开,利用外力被动打开的方式不仅适用性广泛,同时腔口打开精度高,使混凝剂可以直接从腔口处投放,避免池口受混凝剂腐蚀。

技术领域

本发明涉及半导体生产加工技术领域,特别的,是一种半导体生产中废水处理系统。

背景技术

半导体生产废水排放量大,废水污染物种类多,成分复杂,通常都包括多种重金属废水和有机废水,处理难度较大,为了保证半导体生产废水的处理效果,须按照污染物的不同将废水分类收集,针对每一类废水的主要污染物的特点,分别进行处理,可达到理想的处理效果,根据废水的水质特点,不同生产工序排出的废水分别收集到不同的废水贮槽内,目前半导体生产中产生的一般清洗水废水处理都是利用共沉淀原理,共沉淀原理还可以降低用碱量,加碱沉淀法需要考虑PH控制条件和金属离子共存时相互作用的影响,各种金属离子去除的最佳PH,一般控制PH为8.5-9.5,然后投加重捕剂、混凝剂和絮凝剂进行混凝沉淀,沉淀上清液进入暂存池,作为回用系统原水,进入回用系统深度处理,混凝剂是聚合氯化钠,聚合氯化钠为粉状颗粒物,在投放混凝剂时,圆柱形池口处内表壁的水蒸气与混凝剂混合,聚合氯化钠易溶于水,而聚合氯化钠作为无机高分子化合物,具有一定的腐蚀性,因圆柱形池口的结构特征,易存在清理死角,在附有混凝剂的池口内壁水蒸气得不到全面清理的情况下,从而加剧池口腐蚀损坏。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体生产中废水处理系统,用以解决在投放混凝剂时,圆柱形池口处内表壁的水蒸气与混凝剂混合,聚合氯化钠易溶于水,而聚合氯化钠作为无机高分子化合物,具有一定的腐蚀性,因圆柱形池口的结构特征,易存在清理死角,在附有混凝剂的池口内壁水蒸气得不到全面清理的情况下,从而加剧池口腐蚀损坏的技术问题。

为了实现上述目的,本发明是通过如下的技术方案来实现:一种半导体生产中废水处理系统,其结构包括回用处理池、废水处理池、固定框架,所述回用处理池与废水处理池均安装在固定框架内,所述废水处理池的出水端与回用处理池相通,所述废水处理池包括池口、投放机构、池槽、甲板、出液口,所述池口与池槽、出液口为一体化结构,所述池口的内部设置有投放机构,所述池槽的表面两侧用甲板固定安装,所述投放机构的底部通于池槽。

作为本发明优选的,所述投放机构组成有活动封口件、转筒、腔口、内边条、摆片、导料槽、排料口、连杆,所述活动封口件的一端安装在内边条上,另一端与腔口固定,所述腔口为活动式圆形结构,所述腔口的内部设置有转筒与摆片、导料槽,所述摆片通过表面设有的连杆与转筒机械连接,所述腔口的底部开设有排料口。

作为本发明优选的,所述导料槽用摆片形成双向开口结构,其中入口为单开口与池口相通,出口为双开口通过排料口通于池槽。

作为本发明优选的,所述腔口设有内伸边、隔绝套口、导管,所述内伸边通过活动封口件活动配合于隔绝套口内部,所述导管的一端接于活动封口件的内部,另一端接于腔口内部与摆片配合。

作为本发明优选的,所述活动封口件由封口、充气囊、卡座、连接轮、拉簧组成,所述封口与内伸边固定,所述充气囊固定在拉簧与封口之间,所述拉簧相对充气囊的一端与连接轮连接,所述连接轮机械连接在卡座上。

作为本发明优选的,所述卡座固定在内边条上,且卡座与池口上端处于同一水平面。

作为本发明优选的,所述封口包括连接垫层、压座,所述连接垫层固定在内伸边上,所述压座接于连接垫层与充气囊之间。

作为本发明优选的,所述摆片上固定有抵触滑块,该抵触滑块与设在隔绝套口表面内壁的蓄气口接触配合。

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