[发明专利]一种神经元电路、基于神经网络的集成电路和电子设备在审
| 申请号： | 202010395322.6 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN111598229A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 刘琦;张续猛;曹荣荣;刘明;吴祖恒 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06N3/06 | 分类号： | G06N3/06;G06N3/063 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 神经元 电路 基于 神经网络 集成电路 电子设备 | ||
1.一种神经元电路，其特征在于，包括反铁电晶体管；所述反铁电晶体管的栅极用于接入脉冲信号，所述反铁电晶体管的第一电极与电源耦接，所述反铁电晶体管的第二电极接地。
2.根据权利要求1所述的神经元电路，其特征在于，所述神经元电路还包括分压电路，所述分压电路与所述反铁电晶体管串联。
3.根据权利要求2所述的神经元电路，其特征在于，所述分压电路包括电阻，所述电阻的第一端与所述反铁电晶体管的第一电极耦接，所述电阻的第二端与所述电源耦接。
4.根据权利要求2所述的神经元电路，其特征在于，所述分压电路包括电阻，所述电阻的第一端与所述反铁电晶体管的第二电极耦接，所述电阻的第二端接地。
5.根据权利要求1所述的神经元电路，其特征在于，所述反铁电晶体管为反铁电场效应管或反铁电金属场效应管。
6.根据权利要求1所述的神经元电路，其特征在于，所述反铁电晶体管含有反铁电层，所述反铁电层为铪锆氧化物、铪硅氧化物、铪钇氧化物、铪铝氧化物、镧锶锰氧化物、锶铋铁氧化物、钡钛氧化物中的一种或多种制成的反铁电层。
7.一种反铁电晶体管在神经元电路中的应用。
8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，所述神经元电路为脉冲神经元电路。
9.一种基于神经网络的集成电路，其特征在于，具有至少一个权利要求1～6任一项所述的神经元电路。
10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求9所述基于神经网络的集成电路。
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