[发明专利]一种以钙钛矿材料为基础的集成电路及其制备方法

权利要求书

1.一种以钙钛矿材料为基础的集成电路，其特征在于，包括电连接的电源(9)和器件层(10)；所述电源(9)由N个钙钛矿太阳能电池(2)串联组成，N为≥1的自然数，N个钙钛矿太阳能电池(2)共用一个钙钛矿吸收层(1)；所述器件层(10)包括器件(13)和平面型光探测器(6)，器件(13)和平面型光探测器(6)均固定设置在钙钛矿吸收层(1)上；器件(13)和钙钛矿太阳能电池(2)电连接，平面型光探测器(6)和钙钛矿太阳能电池(2)电连接。

2.根据权利要求1所述的一种以钙钛矿材料为基础的集成电路，其特征在于，所述钙钛矿吸收层(1)为钙钛矿薄膜、钙钛矿单晶或钙钛矿单晶薄片。

3.根据权利要求2所述的一种以钙钛矿材料为基础的集成电路，其特征在于，所述钙钛矿薄膜的厚度≤1mm；所述钙钛矿单晶的尺寸≥1μm，钙钛矿单晶在放大倍数1000倍以上能看出晶粒或缺陷；所述钙钛矿单晶薄片的厚度范围为1nm-5mm，钙钛矿单晶薄片在放大倍数1000倍以上能看出晶粒或缺陷。

4.根据权利要求1所述的一种以钙钛矿材料为基础的集成电路，其特征在于，所述钙钛矿太阳能电池(2)为平面型钙钛矿太阳能电池或堆叠型钙钛矿太阳能电池；所述平面型钙钛矿太阳能电池的正电极和负电极在钙钛矿吸收层(1)的同一侧；所述堆叠型钙钛矿太阳能电池的正电极和负电极分别在钙钛矿吸收层(1)的两侧。

5.根据权利要求4所述的一种以钙钛矿材料为基础的集成电路，其特征在于，所述平面型钙钛矿太阳能电池的正电极和负电极直接堆叠在钙钛矿吸收层(1)上，正电极和负电极为两种类型的电极材料；钙钛矿吸收层(1)的下表面固定连接有基底。

6.根据权利要求4所述的一种以钙钛矿材料为基础的集成电路，其特征在于，所述平面型钙钛矿太阳能电池的正电极和钙钛矿吸收层(1)之间设置有空穴传输层；钙钛矿吸收层(1)的下表面固定连接有基底。

7.根据权利要求6所述的一种以钙钛矿材料为基础的集成电路，其特征在于，所述平面型钙钛矿太阳能电池的负电极和钙钛矿吸收层(1)之间设置有电子传输层；电子传输层和空穴传输层之间有缝隙；钙钛矿吸收层(1)的下表面固定连接有基底。

8.根据权利要求6所述的一种以钙钛矿材料为基础的集成电路，其特征在于，所述平面型钙钛矿太阳能电池的负电极堆叠在钙钛矿吸收层(1)上；负电极和空穴传输层之间有缝隙；钙钛矿吸收层(1)的下表面固定连接有基底。

9.根据权利要求4所述的一种以钙钛矿材料为基础的集成电路，其特征在于，所述平面型钙钛矿太阳能电池的负电极和钙钛矿吸收层(1)之间设置有电子传输层，正电极堆叠在钙钛矿吸收层(1)上；正电极和电子传输层之间有缝隙；钙钛矿吸收层(1)的下表面固定连接有基底。

10.根据权利要求4所述的一种以钙钛矿材料为基础的集成电路，其特征在于，所述平面型钙钛矿太阳能电池的电极为平行对电极或叉指电极。

11.根据权利要求1所述的一种以钙钛矿材料为基础的集成电路，其特征在于，钙钛矿太阳能电池的钙钛矿吸收层上表面涂覆有发光材料。

12.根据权利要求11所述的一种以钙钛矿材料为基础的集成电路，其特征在于，所述发光材料为上转换发光材料、下转换发光材料或长余辉发光材料。

13.根据权利要求1所述的一种以钙钛矿材料为基础的集成电路，其特征在于，所述器件层(10)包括电压输入端口(7)和信号输出端口(8)；电压输入端口(7)和电源(9)连接，器件层(10)通过信号输出端口(8)向外输出信号；

平面型光探测器(6)通过引线(5)和电压输入端口(7)及信号输出端口(8)连接；器件(13)通过引线(5)和电压输入端口(7)及信号输出端口(8)连接。