[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于，包含：

第1检测电路，检测供给电压下降到一定电压；

第2检测电路，具有比该第1检测电路还高的检测精度，检测该供给电压下降到所述一定电压；

选择装置，当内部电路为测试状态时，选择所述第2检测电路；当所述内部电路不为所述测试状态时，选择所述第1检测电路；以及

执行装置，响应所述第1检测电路或所述第2检测电路的检测结果，执行电源切断运作；

其中，所述第1检测电路以及所述第2检测电路检测的电压位准，比电源开启检测电路检测的电压位准还低，且比互补式金属氧化物半导体可运作的电压位准还高。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第2检测电路，包含：

基准电压产生电路，产生基准电压；以及

比较电路，比较所述基准电压以及电源电压；

其中，所述第1检测电路，不包含所述基准电压产生电路。

3.如权利要求1项所述的半导体存储装置，其特征在于，所述内部电路包含测试电路；

其中，所述选择装置，当所述测试电路执行测试时，选择所述第2检测电路，当所述测试电路不执行测试时，选择所述第1检测电路。

4.如权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于，所述选择装置，基于从所述测试电路输出的测试信号，选择所述第1检测电路或所述第2检测电路。

5.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述选择装置，当用以使测试开始的指令从外部输入进来时，选择所述第2检测电路。

6.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述选择装置，当信号输入到测试用焊垫时，选择所述第2检测电路。

7.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第2检测电路，利用从测试用焊垫输入的基准电压，检测所述供给电压下降到所述一定电压。

8.如权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于，所述测试电路，执行存储单元阵列或所述存储单元阵列的周边电路的测试。