[发明专利]液晶显示单元的形成方法及其液晶显示单元

说明书

公开了一种液晶显示单元的形成方法及其液晶显示单元，方法中，加热第二绝缘膜到预定温度后，在其上溅射形成非晶体氧化物半导体膜，在第一侧的第一绝缘膜及其向相对于第一侧的第二侧方向延伸的部分非晶体氧化物半导体膜上表面溅射第一导电层，掩模蚀刻第一导电层形成源极，对第一导电层和第二导电层下的非晶体氧化物半导体膜引入第一掺杂剂，在第三绝缘膜上溅射包含氧化钨的铟锌氧化物以形成栅极，经由第四绝缘膜、源极及漏极对非晶体氧化物半导体膜引入第二掺杂剂形成小于非晶体氧化物半导体膜平均电阻的第一电阻区域，加热第一电阻区域一个小时，薄膜晶体管上层叠电连接的第一电极层，液晶层和第二电极层依次层叠于第一电极层上。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，特别是一种液晶显示单元的形成方法及其液晶显示单元。

背景技术

柔性薄膜晶体管广泛地应用于如液晶显示屏及图像显示装置中。为了得到功能更强的显示装置，需要更高的电特性的柔性薄膜晶体管，而现有的柔性薄膜晶体管往往存在着场效应迁移率低的问题，使得高电特性收到限制，现有技术往往采用提高驱动和高速响应信号来提高电特性，而这带来了增加成本、需要额外的部件等不利因素，且其电特性提高区间也极其有限。

在背景技术部分中公开的上述信息仅仅用于增强对本发明背景的理解，因此可能包含不构成在本国中本领域普通技术人员公知的现有技术的信息。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提供一种液晶显示单元的形成方法及其液晶显示单元，本发明的目的是通过以下技术方案予以实现。

一种液晶显示单元的形成方法包括如下步骤：

提供柔性底板，

柔性衬底层叠于所述柔性底板上，

在所述柔性衬底上溅射氮氧化铝形成第一绝缘膜，在所述第一绝缘膜的第一预定区域沉积氧化硅以形成第二绝缘膜，

加热所述第二绝缘膜到预定温度后，在其上溅射形成非晶体氧化物半导体膜，

在第一侧的所述第一绝缘膜及其向相对于第一侧的第二侧方向延伸的部分非晶体氧化物半导体膜上表面溅射第一导电层，掩模蚀刻所述第一导电层形成源极，

在第二侧的所述第一绝缘膜及其向相对于第二侧的第一侧方向延伸的部分非晶体氧化物半导体膜上表面溅射第二导电层，掩模蚀刻所述第二导电层形成漏极，

对第一导电层和第二导电层下的非晶体氧化物半导体膜引入第一掺杂剂，

在第一导电层、非晶体氧化物半导体膜和第二导电层上溅射形成氧化镓膜，掩模蚀刻氧化镓膜使得在位于非晶体氧化物半导体膜正上方的第二预定区域形成第三绝缘膜，

在第三绝缘膜上溅射包含氧化钨的铟锌氧化物以形成栅极，

在第一导电层、非晶体氧化物半导体膜、栅极和第二导电层上溅射氧化镧膜形成第四绝缘膜，

经由第四绝缘膜、源极及漏极对非晶体氧化物半导体膜引入第二掺杂剂形成小于非晶体氧化物半导体膜平均电阻的第一电阻区域，在氮氛围下在350℃-400℃加热第一电阻区域一个小时形成薄膜晶体管，

薄膜晶体管上层叠电连接的第一电极层，液晶层和第二电极层依次层叠于所述第一电极层上，

柔性顶板夹持于所述第二电极层后经由密封层密封形成液晶显示单元。

所述的方法中，非晶体氧化物半导体膜尺寸等于第二绝缘膜。

所述的方法中，加热所述第二绝缘膜到150℃-180℃后，抛光处理所述第二绝缘膜表面，使得其平均表面粗糙度小于0.06nm，在其上溅射形成非晶体氧化物半导体膜。