[发明专利]液晶显示单元的形成方法及其液晶显示单元

权利要求书

1.一种液晶显示单元的形成方法，其特征在于，其包括如下步骤：

提供柔性底板，

柔性衬底层叠于所述柔性底板上，

在所述柔性衬底上溅射氮氧化铝形成第一绝缘膜，在所述第一绝缘膜的第一预定区域沉积氧化硅以形成第二绝缘膜，

加热所述第二绝缘膜到预定温度后，在其上溅射形成非晶体氧化物半导体膜，

在第一侧的所述第一绝缘膜及其向相对于第一侧的第二侧方向延伸的部分非晶体氧化物半导体膜上表面溅射第一导电层，掩模蚀刻所述第一导电层形成源极，

在第二侧的所述第一绝缘膜及其向相对于第二侧的第一侧方向延伸的部分非晶体氧化物半导体膜上表面溅射第二导电层，掩模蚀刻所述第二导电层形成漏极，

对第一导电层和第二导电层下的非晶体氧化物半导体膜引入第一掺杂剂，

在第一导电层、非晶体氧化物半导体膜和第二导电层上溅射形成氧化镓膜，掩模蚀刻氧化镓膜使得在位于非晶体氧化物半导体膜正上方的第二预定区域形成第三绝缘膜，

在第三绝缘膜上溅射包含氧化钨的铟锌氧化物以形成栅极，

在第一导电层、非晶体氧化物半导体膜、栅极和第二导电层上溅射氧化镧膜形成第四绝缘膜，

经由第四绝缘膜、源极及漏极对非晶体氧化物半导体膜引入第二掺杂剂形成小于非晶体氧化物半导体膜平均电阻的第一电阻区域，在氮氛围下在350℃-400℃加热第一电阻区域一个小时形成薄膜晶体管，

薄膜晶体管上层叠电连接的第一电极层，液晶层和第二电极层依次层叠于所述第一电极层上，

柔性顶板夹持于所述第二电极层后经由密封层密封形成液晶显示单元。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，非晶体氧化物半导体膜尺寸等于第二绝缘膜。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，加热所述第二绝缘膜到150℃-180℃后，抛光处理所述第二绝缘膜表面，使得其平均表面粗糙度小于0.06nm，在其上溅射形成非晶体氧化物半导体膜。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，非晶体氧化物半导体膜包括In₂SnO₅(ZnO)₃。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂剂为氯化锌离子，其经由离子掺杂方式引入，所述第二掺杂剂为硼离子，其经由离子植入方式引入。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，第一导电层、非晶体氧化物半导体膜和第二导电层经由平坦化处理后，在其上溅射形成氧化镓膜。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电极层和第二电极层之间设有配向绝缘膜，其围绕所述液晶层。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述柔性衬底上形成多个薄膜晶体管，其包括三栅极结构。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述柔性底板和/或柔性顶板由玻璃纤维强化塑胶材料、聚氟乙烯薄膜、聚酯薄膜或丙烯酸树脂薄膜制成。

10.一种液晶显示单元，其特征在于，其经由如权利要求1-9中任一项所述的方法形成。