[发明专利]一种n型电池及其制备方法

权利要求书

1.一种n型电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

选取一种(100)晶向n型单晶硅片，对所述n型硅片进行表面结构化处理，以在硅片表面形成特定形貌；

在结构化处理后的n型硅片正面局部覆盖硼掺杂剂，并对所述n型硅片进行高温推进，以在其正面形成局部p型重掺杂区，所述局部p型重掺杂区中硼元素的表面浓度为7E19-1E22cm^-3；

去除高温推进过程中n型硅片表面形成的硼硅玻璃，然后对所述n型硅片进行碱制绒，刻蚀掉高温推进过程中未覆盖硼掺杂剂的晶硅区域因硼掺杂剂中的硼元素挥发而形成的轻扩散层，并在所述晶硅区域表面形成绒面结构，在此过程中，所述局部p型重掺杂区仍保留原有的表面形貌；

对碱制绒后的n型硅片的正面进行硼的轻掺杂，以形成p型轻掺杂区，所述p型轻掺杂区硼的表面浓度低于局部p型重掺杂区硼的表面浓度，高度低于局部p型重掺杂区的高度；

在所述n型硅片背面制作n型掺杂层，所述n型掺杂层为全面积的磷掺杂背场结构、局部磷掺杂背场结构、钝化接触结构中的任意一种；

在所述n型硅片正面制作钝化减反射层，在背面制作钝化层；

在所述n型硅片正面和背面制作金属电极，所述正面金属电极与局部p型重掺杂区相对应。

2.如权利要求1所述的n型电池制备方法，其特征在于，采用丝网印刷或打印的方式在结构化处理后的n型硅片正面局部覆盖硼掺杂剂；所述硼掺杂剂包括但不限于含硼浆料、硼墨和掺硼硅粉。

3.如权利要求1所述的n型电池制备方法，其特征在于，所述碱制绒的条件为：碱制绒液采用浓度为2-5%的氢氧化钾或氢氧化钠溶液，碱制绒液温度为50-80℃，制绒时间为5-10min。

4.如权利要求1所述的n型电池制备方法，其特征在于，碱制绒结束后，所述局部p型重掺杂区的高度高于绒面结构的p型轻掺杂区0.5-2um。

5.如权利要求1所述的n型电池制备方法，其特征在于，所述局部p型重掺杂区的结深深于所述p型轻掺杂区。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高温推进的工艺方案为：推进温度为750-1100℃，推进时间为30-120min，氮气流量为3000-20000sccm，氧气流量为0-20000sccm；高温推进工艺完成后，所述局部p型重掺杂区的结深为1-3um，方块电阻为20-80Ω/□。

7.如权利要求6所述的n型电池制备方法，其特征在于，所述轻掺杂选用三溴化硼管式硼扩散、硼离子注入、气相化学沉积方法中的任意一种实现，所述p型轻掺杂区的结深为0.3-1um，方块电阻为100-250Ω/□。

8.如权利要求1所述的n型电池制备方法，其特征在于，所述局部p型重掺杂区是图案化的，所述图案与正面金属电极图案相对应。

9.如权利要求1所述的n型电池制备方法，其特征在于，所述金属电极的制作方式包括丝网印刷、电镀或物理气相沉积；所述金属电极制作方式为电镀或物理气相沉积时，所述表面结构化处理采用抛光方式，从而在局部p型重掺杂区形成抛光结构；所述金属电极制作方式为丝网印刷时，所述表面结构化处理采用制绒方式，从而在局部p型重掺杂区形成绒面结构。

10.一种n型电池，其特征在于，采用权利要求1至9任意一项所述的方法制备，所述n型电池包括：

单晶n型硅片；

位于所述n型硅片正面的p型掺杂层，所述p型掺杂层包括局部p型重掺杂区和p型轻掺杂区，所述局部p型重掺杂区的高度高于其他轻掺杂的p型发射结区域0.5-2um；所述局部p型重掺杂区的结深为1-3um，方块电阻为20-80Ω/□；所p型轻掺杂区的结深为0.3-1um，方块电阻为80-500Ω/□；

位于所述n型硅片背面的n型掺杂层，所述n型掺杂层为全面积的磷掺杂背场结构、局部磷掺杂背场结构、钝化接触结构中的任意一种；

位于所述p型掺杂层上的正面钝化减反射层；

位于所述n型掺杂层上的背面钝化层；

位于所述正面钝化减反射层上的正面金属电极，以及位于所述背面钝化层上的背面金属电极，所述正面金属电极与局部p型重掺杂区的位置相对应。