[发明专利]存储器装置以及其刷新方法

说明书

本发明提供一种存储器装置以及其刷新方法，所述存储器装置包含多个存储器芯片和多个温度传感器。存储器芯片彼此耦接。温度传感器分别安置于存储器芯片上。存储器芯片中的一个配置成主存储器芯片，且启用主存储器芯片的第一温度传感器以感测环境温度。主存储器芯片根据环境温度生成刷新速率控制信号，且控制所有存储器芯片的刷新速率。

技术领域

本发明涉及一种存储器装置以及其刷新方法，且更具体地说，涉及根据环境温度具有可变刷新速率的刷新方法。

背景技术

在常规技术中，动态随机存取存储器(dynamic random access memory；DRAM)芯片具有用于感测环境温度的温度传感器。接着，DRAM芯片可根据环境温度确定刷新速率。对于具有多个DRAM芯片的存储器装置，许多温度传感器分别安置于DRAM芯片中。也就是说，多个不同的刷新速率会被产生，进而发生存储器装置的功能错误。

发明内容

本发明提供存储器装置以及其刷新方法。存储器装置具有多个根据相同刷新速率进行刷新的存储器芯片。

存储器装置包含多个存储器芯片和多个温度传感器。存储器芯片彼此耦接。温度传感器分别安置于存储器芯片上。存储器芯片中的一个配置成主存储器芯，且启用主存储器芯片的第一温度传感器以感测环境温度。主存储器芯片根据环境温度生成刷新速率控制信号，且控制所有存储器芯片的刷新速率。

用于存储器装置的刷新方法包含将存储器芯片中的一个配置成主存储器芯片；启用主存储器芯片的第一温度传感器以感测环境温度；由主存储器芯片根据环境温度生成刷新速率控制信号；以及根据刷新速率控制信号控制所有存储器芯片的刷新速率。

因此，本揭示的存储器装置将多个存储器芯片中的一个设定为主存储器芯片。主存储器芯片由其温度传感器获得环境温度，且根据环境温度生成刷新速率控制信号。此外，将刷新速率控制信号传送到所有存储器芯片来控制所有存储器芯片的刷新速率。如上所述，所有存储器芯片的刷新速率是可控的，且可避免存储器装置的功能错误。

应理解，前文总体描述以及以下详细描述都是示例性的，并且意图提供对所要求的本发明的进一步说明。

附图说明

包含附图以提供对本发明的进一步理解，且附图并入在本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图示出本发明的实施例，且与描述一起用于解释本发明的原理。

图1是根据本揭示的实施例的存储器装置的示意图；

图2是根据本揭示的另一实施例的存储器装置的示意图；

图3是根据本揭示根据实施例的存储器芯片的示意图；

图4是根据本揭示的实施例的用于存储器装置的刷新方法的流程图。

附图标号说明

100、200：存储器装置；

111-11N、221-22N、301：存储器芯片；

230：硅穿孔；

310：控制器；

330：穿孔；

CFG1-CFGN、CFGA：配置信号；

CTA、SE：控制信号；

MA1-MAN、MAA：存储器阵列；

S410、S420、S430、S440、S450：步骤；

SW1-SWN、SWA：开关；

TS1-TSN、TSA：温度传感器。

具体实施方式