[发明专利]存储器装置以及其刷新方法在审

专利信息
申请号: 202010289919.2 申请日: 2020-04-14
公开(公告)号: CN112863568A 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 许庭硕;沈志玮 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: G11C11/406 分类号: G11C11/406
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 张娜;臧建明
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 存储器 装置 及其 刷新 方法
【权利要求书】:

1.一种存储器装置,包括:

多个存储器芯片,其中所述存储器芯片彼此耦接;以及

多个温度传感器,分别安置于所述多个存储器芯片上,

其中所述多个存储器芯片中的一个配置成主存储器芯片,启用所述主存储器芯片的第一温度传感器以感测环境温度,所述主存储器芯片根据所述环境温度生成刷新速率控制信号,且控制所有所述多个存储器芯片的刷新速率。

2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中停用所述多个存储器芯片中的至少一个的至少一个第二温度传感器,所述多个存储器芯片中的至少一个不是所述主存储器芯片。

3.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述多个存储器芯片中的每一个具有用于接收配置信号的接口,其中所述配置信号用于决定是否将所述多个存储器芯片中的每一个配置成所述主存储器芯片。

4.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述配置信号是引脚选项代码或熔丝代码,或所述配置信号由外部命令生成。

5.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述多个温度传感器中的每一个是热敏电阻。

6.根据权利要求1所述的存储器装置,还包括:

多个控制器,分别安置于所述多个存储器芯片中;以及

多个开关,分别耦接于所述多个温度传感器与所述控制器之间,

其中根据所述相应存储器芯片是否为所述主存储器芯片来导通或切断所述多个开关中的每一个。

7.根据权利要求1所述的存储器装置,还包括:

多个硅穿孔,

其中所述多个存储器芯片布置到堆叠中,且所述多个存储器芯片通过所述硅穿孔彼此耦接。

8.根据权利要求1所述的存储器装置,还包括:

多个存储器阵列,分别安置于所述多个存储器芯片中,

其中所述多个存储器芯片根据所述刷新速率控制信号以相同刷新速率在所述存储器阵列上分别执行刷新操作。

9.根据权利要求8所述的存储器装置,其中存储器阵列是动态随机存取存储器阵列。

10.一种用于存储器装置的刷新方法,包括:

将多个温度传感器分别安置于多个存储器芯片中;

将所述多个存储器芯片中的一个配置成主存储器芯片,

启用所述主存储器芯片的第一温度传感器以感测环境温度;

由所述主存储器芯片根据所述环境温度生成刷新速率控制信号;以及

根据所述刷新速率控制信号控制所有所述多个存储器芯片的刷新速率。

11.根据权利要求10所述的用于存储器装置的刷新方法,更包括:

停用所述多个存储器芯片中的至少一个的至少一个第二温度传感器,所述多个存储器芯片不是所述主存储器芯片。

12.根据权利要求10所述的用于存储器装置的刷新方法,还包括:

将多个配置信号分别提供到所述多个存储器芯片,以决定是否将所述多个存储器芯片中的每一个配置成所述主存储器芯片。

13.根据权利要求12所述的用于存储器装置的刷新方法,还包括:

通过引脚选项代码、熔丝代码或外部命令提供所述配置信号中的每一个。

14.根据权利要求10所述的用于存储器装置的刷新方法,其中所有所述多个存储器芯片根据所述刷新速率控制信号以相同刷新速率刷新。

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