[发明专利]一种碳化硅晶体减薄用砂轮、制备方法及其应用有效
申请号: | 202010289636.8 | 申请日: | 2020-04-14 |
公开(公告)号: | CN111347354B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 王礼华;张高亮;赵延军;左冬华;钱灌文;叶腾飞 | 申请(专利权)人: | 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 |
主分类号: | B24D3/28 | 分类号: | B24D3/28;B24D18/00 |
代理公司: | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人: | 王红培;郑园 |
地址: | 450001 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 晶体 减薄用 砂轮 制备 方法 及其 应用 | ||
本发明提供了一种碳化硅晶体减薄用砂轮、制备方法及其应用,砂轮具有多孔结构,原料按重量百分比包括:金刚石磨料15‑40%、酚醛树脂粉10‑35%、发泡剂3‑15%、氟化钙5‑20%、二硫化钨3‑15%、氧化铈3‑15%、冰晶石5‑20%、硬脂酸锌0.5‑6%。该方法制备的树脂结合砂轮具有多孔结构,孔隙率高,磨削时可以起到容屑作用,增加砂轮锋利性。同时,多孔结构建立的结合剂桥,在磨削时产生有效断裂,砂轮自锐性好,减少修整频次。砂轮体系中具体氟化钙和润滑剂材料可以降低砂轮摩擦系数,从而有效降低磨削热,提高磨削碳化硅晶片表面质量。
技术领域
本发明涉及超硬磨料磨具领域,具体涉及一种碳化硅晶体减薄用砂轮、制备方法及其应用。
背景技术
由于更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力,碳化硅晶体做为最有前景的第三代半导体材料,被广泛关注。但是碳化硅晶体的莫氏硬度达到9.5,硬度仅次于金刚石,强度较高,加工难度极大。与加工普通工件相比,碳化硅半导体在加工过程中,由于硬度高材料难以去除,产生较大的磨削力导致产热高;且粉末状磨屑容易堵塞砂轮,砂轮失去去除能力。目前,行业内并无对碳化硅晶体加工行之有效的方法。对碳化硅晶体减薄采用液体游离磨料研磨的方法,但是碳化硅晶体材料加工余量较大,采用液体研磨加工时,周期长效率低,研磨工件精度低,工件不良率高,且液体磨料产生较大的环境污染。
发明内容
本发明提出了一种碳化硅晶体减薄用砂轮、制备方法及其应用,该方法制备的树脂结合砂轮具有多孔结构,孔隙率高,磨削时可以起到容屑作用,增加砂轮锋利性。同时,多孔结构建立的结合剂桥,在磨削时产生有效断裂,砂轮自锐性好,减少修整频次。砂轮体系中具体氟化钙和润滑剂材料可以降低砂轮摩擦系数,从而有效降低磨削热,提高磨削碳化硅晶片表面质量。
实现本发明的技术方案是:
一种碳化硅晶体减薄用砂轮,砂轮具有多孔结构,原料按重量百分比包括:金刚石磨料15-40%、酚醛树脂粉10-35%、发泡剂3-15%、氟化钙5-20%、二硫化钨3-15%、氧化铈3-15%、冰晶石5-20%、硬脂酸锌0.5-6%。
所述金刚石磨料粒度为1500#-4000#,砂轮多孔结构为连续多孔结构,孔隙率分布在10-80%。
所述发泡剂为4,4’-氧代双苯磺酰肼,发泡剂经过以下处理:将发泡剂溶于乙二醇溶剂中,然后放入真空干燥箱中80℃烘箱2h,粉碎机粉碎2h,经液氮冷却处理,球磨细化处理4h,最后用400#和500#标准筛过筛,得到处理后的40-50μm粒度分布的发泡剂。
所述的碳化硅晶体减薄用砂轮的制备方法,步骤如下:
(1)将处理后的发泡剂、硬脂酸锌和酚醛树脂粉放入行星式混料机中球混1h,然后过筛得到粘接剂;
(2)将金刚石磨料放入研钵中,加入硅烷偶联剂作为润湿剂和偶联剂,研磨20min,将研磨后的金刚石倒入步骤(1)粘接剂中混合过筛;
(3)将氟化钙、二硫化钨、冰晶石、氧化铈混合过筛,然后加入到步骤(2)过筛后的金刚石混合料中,过筛后得到成型料;
(4)将步骤(3)成型料和基体放入组装好的专用模具中,置于热压机中预压,预压后升温压制成型,热压机卸除压力,取出模具,模具冷却至室温,卸模取出压制砂轮块,将砂轮放于170℃的烘箱中保温12h,冷却后经精加工得到碳化硅晶体减薄用树脂结合剂砂轮。
所述步骤(1)中过200目标准筛3遍得到粘接剂;步骤(2)中采用200目筛网筛5遍;步骤(3)中氟化钙、二硫化钼、白刚玉和氧化锌过300目标准筛4遍,然后加入到步骤(2)过筛后的金刚石混合料中,过200目筛网5遍得到成型料。
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