[发明专利]一种用于附着穿透式电子显微镜样品的硅网及其制备方法在审
| 申请号： | 202010275256.9 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN111537529A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 李德元 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | G01N23/04 | 分类号： | G01N23/04;G01N23/20;G01N23/20008 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 付婧 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 附着 穿透 电子显微镜 样品 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于附着穿透式电子显微镜样品的硅网，其特征在于，包括：
硅衬底，以及
自所述硅衬底延伸出的附着部；
所述附着部，用于放置穿透式电子显微镜样品。
2.根据权利要求1所述的用于附着穿透式电子显微镜样品的硅网，其特征在于，
所述附着部为自所述硅衬底延伸出的多窄柱。
3.根据权利要求2所述的用于附着穿透式电子显微镜样品的硅网，其特征在于，
所述硅网呈梳状，所述多窄柱形成梳状硅网的梳齿部。
4.根据权利要求1所述的用于附着穿透式电子显微镜样品的硅网，其特征在于，
所述附着部为自所述硅衬底延伸出的单宽柱。
5.根据权利要求1所述的用于附着穿透式电子显微镜样品的硅网，其特征在于，
所述附着部为自所述硅衬底延伸出的双宽柱。
6.根据权利要求1所述的用于附着穿透式电子显微镜样品的硅网，其特征在于，
所述硅网，为加工后的用于调试或损坏的半导体晶圆的硅衬底。
7.根据权利要求1所述的用于附着穿透式电子显微镜样品的硅网，其特征在于，
所述硅衬底，其上开有通孔。
8.根据权利要求7所述的用于附着穿透式电子显微镜样品的硅网，其特征在于，
所述通孔，设置于硅衬底的左半部或中部或右半部。
9.一种用于附着穿透式电子显微镜样品的硅网的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供半导体晶圆；
将所述晶圆加工成硅衬底以及自所述硅衬底延伸出的附着部，以形成用于附着穿透式电子显微镜样品的硅网。
10.根据权利要求9所述的用于附着穿透式电子显微镜样品的硅网的制备方法，其特征在于，
对所述晶圆进行加工的过程包括：切割、研磨及铣削所述晶圆。
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