[发明专利]逆导型IGBT器件的制造方法

权利要求书

1.一种逆导型IGBT器件的制造方法，其特征是，所述制造方法包括如下步骤：

步骤1、提供具有第一导电类型的衬底，并在所述衬底的正面进行所需的正面元胞工艺；

步骤2、将衬底的背面减薄至所需的厚度，并在所述衬底的背面注入第一导电类型杂质离子，以形成第一导电类型离子注入层；

步骤3、采用激光退火工艺对上述第一导电类型离子注入层进行局部激活，以得到若干第一导电类型激活区，相邻的第一导电类型激活区由第一导电类型离子注入层间隔；

步骤4、对上述衬底的背面再次减薄，以去除衬底背面的第一导电类型离子注入层，同时，将第一导电类型激活区减薄掉与第一导电类型离子注入层相同的厚度，减薄后，相邻的第一导电类型激活区间由衬底间隔；

步骤5、对衬底的背面进行第二导电类型杂质离子的注入与炉管退火，以在衬底的背面得到第二导电类型激活区，其中，第二导电类型激活区与第一导电类型激活区间交替排列；

步骤6、在上述衬底的背面进行金属化，以得到集电极金属层（7），所述集电极金属层（7）与第一导电类型激活区、第二导电类型激活区欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的逆导型IGBT器件的制造方法，其特征是：所述步骤2中，第一导电类型杂质离子的注入能量为400keV~3MeV，注入剂量为5e11cm^-2~5e13cm^-2。

3.根据权利要求1所述的逆导型IGBT器件的制造方法，其特征是：所述步骤3中，激光退火能量为0.5J~5J，退火时间为1μs~5μs，第一导电类型激活区的大小为10μm~200μm，相邻第一导电类型激活区的间距为10μm~200μm。

4.根据权利要求1所述的逆导型IGBT器件的制造方法，其特征是：所述步骤4中，对衬底背面减薄的厚度为0.5µm~5µm。

5.根据权利要求1所述的逆导型IGBT器件的制造方法，其特征是：步骤5中，第二导电类型杂质离子注入的能量为20keV~100keV，注入剂量为1e13cm^-2~5e14cm^-2，炉管退火温度400℃~500℃。

6.根据权利要求1所述的逆导型IGBT器件的制造方法，其特征是：所述衬底的类型包括硅衬底。

7.根据权利要求1所述的逆导型IGBT器件的制造方法，其特征是：在衬底的正面制备得到的元胞为平面型元胞或沟槽型元胞。