[发明专利]改善外延片滑片的装置及方法

说明书

本发明提供了改善外延片滑片的装置及方法，属于外延片制造技术领域，改善外延片滑片的装置包括基座，基座上端面设有载片槽；基座的上方设置有机械手盘，机械手盘上设置有用于负压吸附外延片的吸气通路，机械手盘上还设置有用于向机械手盘内充入气体的充气通路；外延片在充气通路充入的气体压力作用下落入所述载片槽内。改善外延片滑片的方法采用了上述装置。本发明提供的改善外延片滑片的装置和方法增大了外延片与载片槽之间的摩擦力，缩短了外延片与载片槽内的气体排出的时间，避免了外延片在载片槽内的滑动，提高了外延片厚度和电阻率的均匀性。

技术领域

本发明属于外延片制造技术领域，更具体地说，是涉及一种改善外延片滑片的装置及方法。

背景技术

在半导体芯片制造中，硅外延片有着重要的地位。在实际生产中，化学气相沉积技术被广泛应用于硅外延片的制造，其中，外延炉是制造外延片的主要设备。

目前在使用外延炉生长外延片过程中，外延炉采用机械手盘自动将硅片装载到基座的载片槽中，硅片在运动到载片槽过程中会在硅片表面沉积一层单晶硅，此层单晶硅即为外延片，外延片脱离机械手盘与载片槽表面接触时容易在两者中间产生气模，气模的厚度约为0.6mm，导致外延片和载片槽之间的摩擦力很小，外延片就容易在载片槽内滑动导致装载错位，进而导致外延片厚度、电阻率均匀性变差。

发明内容

本发明的目的在于提供改善外延片滑片的装置和方法，旨在解决外延片与载片槽表面接触时外延片在载片槽内滑动导致的外延片厚度、电阻率均匀性差的问题。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：提供一种改善外延片滑片的装置，包括：

基座，上端面设有载片槽，所述基座上方设置有机械手盘，所述机械手盘上设置有用于负压吸附外延片的吸气通路，所述机械手盘上还设置有用于向所述机械手盘内充入气体的充气通路；

外延片在所述充气通路充入的气体压力作用下落入所述载片槽内。

作为本申请另一实施例，还包括：

三通阀，分别设有出气端、第一进气端和第二进气端，所述出气端与所述机械手盘连通，所述第一进气端与所述出气端形成所述吸气通路，所述第二进气端与所述出气端形成所述充气通路。

作为本申请另一实施例，所述第一进气端的管路上安装有文丘里真空泵。

作为本申请另一实施例，所述第一进气端的管路上和所述第二进气端的管路上分别安装有流量调节阀。

作为本申请另一实施例，所述第一进气端的管路上安装有气闭式气动阀，所述第二进气端的管路上安装有气开式气动阀。

作为本申请另一实施例，所述气闭式气动阀与所述气开式气动阀通过同一气源控制。

作为本申请另一实施例，还包括：

压力传感器，安装在所述机械手盘管路上。

作为本申请另一实施例，所述充气通路内充有氮气。

本发明提供的改善外延片滑片的装置的有益效果在于：与现有技术相比，本发明改善外延片滑片的装置的基座的上端面设有载片槽；基座的上方设置有机械手盘；同时在原有的气路结构上进行改进，增加一个充气通路，吸气通路可使机械手盘内形成负压以使机械手盘吸附外延片，充气通路可向机械手盘内充入气体，外延片在充气通路充入的气体压力作用下外延片轻松从机械手盘上脱下，同时在气体的压力作用下增大了外延片与载片槽之间的摩擦力，缩短了外延片与载片槽内的气体排出的时间，使外延片不容易在载片槽内滑动，制作的外延片厚度和电阻率都非常均匀。本发明的改善外延片滑片的装置增大了外延片与载片槽之间的摩擦力，缩短了外延片与载片槽内的气体排出的时间，避免了外延片在载片槽内的滑动，提高了外延片厚度和电阻率的均匀性。

本发明还提供改善外延片滑片的方法，包括以下步骤：