[发明专利]显示设备在审
申请号: | 202010228940.1 | 申请日: | 2020-03-27 |
公开(公告)号: | CN111755484A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 金泰佑;赵承奂;崔钟炫;李尙训 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;H01L51/52 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 宋颖娉;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.一种显示设备,包括:
基板,包括通孔、围绕所述通孔的外围区域、围绕所述外围区域的布线区域以及围绕所述布线区域的显示区域;
栅绝缘层,被设置在所述基板上;
栅布线,被设置在所述布线区域中并且在所述栅绝缘层上;
层间绝缘层,被设置在所述栅布线上;
数据布线,被设置在所述布线区域中并且在所述层间绝缘层上;
中间绝缘层,被设置在所述数据布线上;以及
第一主绝缘坝,被设置在所述布线区域中并且在所述中间绝缘层上,
其中所述第一主绝缘坝包括有机材料,并且其中所述第一主绝缘坝的下表面的宽度窄于所述第一主绝缘坝的上表面的宽度。
2.根据权利要求1所述的显示设备,进一步包括:
发射层,被设置在所述基板上;以及
阴极,被设置在所述发射层上,
其中所述发射层和所述阴极被设置在所述外围区域和所述布线区域中,并且
所述发射层和所述阴极包括基于所述第一主绝缘坝的断开点。
3.根据权利要求2所述的显示设备,进一步包括:
封装层,被设置在所述阴极上,
其中所述封装层包括无机封装层和有机封装层。
4.根据权利要求3所述的显示设备,其中:
所述中间绝缘层和所述无机封装层在所述断开点处直接接触。
5.根据权利要求1所述的显示设备,进一步包括:
第一子绝缘坝,被设置在所述外围区域中并且被设置在所述中间绝缘层上,
其中所述第一子绝缘坝包括多个有机层。
6.根据权利要求5所述的显示设备,其中:
所述多个有机层包括:
平坦化层,被设置在所述中间绝缘层上;
隔离物,被设置在所述平坦化层上;以及
间隔物,被设置在所述隔离物上。
7.根据权利要求6所述的显示设备,进一步包括:
第二子绝缘坝,被设置在所述布线区域中并且被设置在所述中间绝缘层上,
其中所述第二子绝缘坝包括所述多个有机层。
8.根据权利要求6所述的显示设备,其中:
所述第一主绝缘坝与所述平坦化层、所述隔离物和所述间隔物中的一个设置在同一层上。
9.根据权利要求1所述的显示设备,进一步包括:
至少一个第二主绝缘坝,被设置在所述外围区域中。
10.根据权利要求1所述的显示设备,其中:
所述通孔被形成为穿透所述基板、所述栅绝缘层、所述层间绝缘层和所述中间绝缘层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的