[发明专利]一种显示面板制备方法、显示面板及其显示装置有效
| 申请号: | 202010228021.4 | 申请日: | 2020-03-27 |
| 公开(公告)号: | CN111403457B | 公开(公告)日: | 2022-09-13 |
| 发明(设计)人: | 王丽娟 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 魏朋 |
| 地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 制备 方法 及其 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板制备方法、显示面板及其显示装置。显示面包括第一基层;胶粘层设置在所述第一基层上且具有第一凹槽,所述第一凹槽与所述屏下摄像头的位置相对应;第二基层设置在所述胶粘层远离所述第一基层的一侧。本发明通过对胶粘层开槽,减少了影响光透过率的胶粘层的厚度,提高显示面板的透过率,满足屏下摄像头分辨率的要求。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板制备方法,显示面板及其显示装置。
背景技术
随着全面屏手机的兴起,屏下显示受到越来越多手机厂商和面板厂商的关注。屏下显示的特点是:在拍照时,光线会投射仅屏幕摄像头区域,然后进入传感器实现拍照;在不拍照时,屏幕会显示正常的颜色。要实现柔性屏下显示技术,摄像头区域的透过率成为重点关注对象。
发明内容
第一方面,本发明实施例提供一种显示面板,用于具有屏下摄像头的显示装置,提高显示屏摄像头的透过率的问题。该显示面板包括:第一基层;胶粘层,设置在所述第一基层上,且具有第一凹槽,所述第一凹槽与所述屏下摄像头的位置相对应;第二基层,设置在所述胶粘层远离所述第一基层的一侧。
在一实施例中,所述第二基层具有第二凹槽,所述第二凹槽和所述第一凹槽沿垂直于所述第二基层的方向的投影至少部分重叠。
在一实施例中,所述第二凹槽的深度为所述第二基层的厚度的20%至40%。
在一实施例中,所述第一凹槽的深度为所述胶粘层的厚度的20%至40%。
在一实施例中,所述胶粘层的厚度范围为至
在一实施例中,所述胶粘层包括第一无机层和第二无机层,所述第一无机层位于所述第一基层和所述第二无机层之间。
第二方面,本发明一实施例提供一种显示装置,包括屏下摄像头,还包括上述的显示面板,所述屏下摄像头设置在所述第一基层远离所述胶粘层一侧且位于所述第一凹槽对应的区域中。
在一实施例中,所述第一凹槽的开口的面积为所述摄像头沿垂直于所述第一基层方向的投影面积的120%至140%。
第三方面,本发明一实施例提供一种显示面板的制备方法,所述显示面板用于具有屏下摄像头的显示装置,包括提供第一基层;在所述第一基层上制备胶粘层,对所述胶粘层进行图形化,以形成第一凹槽,所述第一凹槽与所述屏下摄像头的位置相对应;在所述胶粘层上制备第二基层。
在一实施例中,所述第二基层进行局部减薄,以形成第二凹槽;所述第二凹槽沿垂直于所述第一基层方向的投影与所述第一凹槽沿垂直于所述第一基层方向的投影重叠。
本发明的技术方案提供一种显示面板制备方法、显示面板及其显示装置,该显示面板包括:第一基层;胶粘层设置在所述第一基层上且具有第一凹槽,所述第一凹槽与所述屏下摄像头的位置相对应;第二基层设置在所述胶粘层远离所述第一基层的一侧。本发明通过对胶粘层进行开槽,减少对应于屏下摄像头区域的胶粘层厚度,解决了因单晶硅层、单层二氧化硅层或单层氮化硅层光的透过率低的问题,提高了显示面板整体的光透过率,满足了屏下摄像头对于分辨率的要求。
附图说明
通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显,其中,相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征。
图1是本发明一实施例提供的显示面板的俯视图。
图2是本发明一实施例提供的显示面板在A-A向的剖面结构示意图。
图3是本发明另一实施例提供的显示面板的剖面结构示意图。
图4是本发明另一实施例提供的显示面板的剖面结构示意图。
图5是本发明另一实施例提供的显示面板的剖面结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





