[发明专利]具有改进的光电均匀性的电吸收调制器

权利要求书

1.一种集成的电吸收调制器，包括：

层状二极管结构，所述层状二极管结构被形成在衬底的器件层上方，所述层状二极管结构包括底部二极管层、本征二极管层和顶部二极管层；

波导，所述波导被形成在所述层状二极管结构下方的器件层中，以将光耦入所述本征二极管层以及耦出所述本征二极管层；

电端子，所述电端子在有源区中与所述顶部二极管层和所述底部二极管层接触；

驱动器电路，所述驱动器电路被连接在所述电端子之间并且被配置为在所述层状二极管结构上施加直流偏置电压和交流信号电压；以及

加热器，所述加热器被设置在所述电吸收调制器的后部端以加热所述有源区的后部部分。

2.根据权利要求1所述的集成的电吸收调制器，其中加热器功率设置针对与所述集成的电吸收调制器相关联的光调制幅度而被优化。

3.根据权利要求1所述的集成的电吸收调制器，其中所述加热器包括在所述二极管结构的两侧上被横向布置的绕组加热器丝。

4.根据权利要求1所述的集成的电吸收调制器，其中所述波导是硅波导，并且所述层状二极管结构由III-V族半导体材料制成。

5.根据权利要求1所述的集成的电吸收调制器，其中：

所述电端子包括在所述有源区内的多个接触区中与所述顶部二极管层和所述底部二极管层接触的多对电端子，所述多个接触区被隔离区分开；并且

所述驱动器电路被连接在所述多对电端子之间，并且被配置为跨相应的接触区中的层状二极管结构施加多个相应的直流偏置电压。

6.根据权利要求1所述的集成的电吸收调制器，其中所述本征层的材料组成在所述有源区的前部端和所述有源区的后部端之间变化，导致在所述后部端处的光吸收系数比在前部端处的光吸收系数更大。

7.根据权利要求1所述的集成的电吸收调制器，其中所述波导包括与所述有源区重叠的倒锥形区段。

8.一种集成的电吸收调制器，包括：

层状二极管结构，所述层状二极管结构被形成在衬底的器件层上方，所述层状二极管结构包括底部二极管层、本征二极管层和顶部二极管层；

波导，所述波导被形成在所述层状二极管结构下方的器件层中，所述波导将光耦入所述本征二极管层以及耦出所述本征二极管层；

多对电端子，所述多对电端子在有源区内与所述顶部二极管层和所述底部二极管层接触，所述多个接触区由隔离区分开；以及

驱动器电路，所述驱动器电路被连接在所述多对电端子之间并且被配置为跨相应的接触区中的层状二极管结构施加多个相应的直流偏置电压。

9.根据权利要求8所述的集成的电吸收调制器，其中所述驱动器电路被配置为使得被施加到所述有源区的后部处的接触区的直流偏置电压大于被施加到所述有源区的前部处的直流偏置电压。

10.根据权利要求9所述的集成的电吸收调制器，其中所述多个直流偏置电压针对与所述集成的电吸收调制器相关联的光调制幅度而被优化。

11.根据权利要求8所述的集成的电吸收调制器，其中所述驱动器电路还被配置为跨所述分层二极管结构施加交流信号电压。

12.根据权利要求8所述的集成的电吸收调制器，其中所述驱动器电路还被配置为跨所述多个接触区中的层状二极管结构施加多个交流信号电压。