[发明专利]一种低成本钕铁硼磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种低成本钕铁硼磁体，其特征在于，包含以下质量百分比的组分：Nd 19.5～25.5%、Pr 5.5～6.5%、Gd 1～2.2%、La 2.5～5%、Co 2～3.8%、 B 0.8～1.4%、Al 0.8～1.2%、Zr 0.1～0.18%、抗氧化剂2～2.5%、余量为Fe。

2.根据权利要求1所述的一种低成本钕铁硼磁体，其特征在于：所述Nd 21.5～24.5%、Pr 5.8～6.2%、Gd 1.4～2.0%、La 3.5～4.5%、Co 2.2～3.2%、 B 1.0～1.2%、Al 0.9～1.1%、Zr 0.12～0.16%、抗氧化剂2.2～2.4%。

3.根据权利要求1～2任一项所述的一种低成本钕铁硼磁体，其特征在于：所述抗氧化剂为己二酸二酰肼。

4.根据权利要求1～3任一项所述的低成本钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、原料预处理：除去各原料组分中杂质及各组分表面的锈迹，将各组分分切成单边长度不超过35mm的小块状进行配料；

S2、熔炼：将S1步骤预处理后的各组分投入真空熔炼炉，将炉内真空度抽至4Pa时，开始加热，加热至金属Nd 、Pr熔化时，停止抽真空和加热，向真空熔炼炉内充入氩气至炉内压力达到0.03MPa～0.04 MPa，继续加热开始熔炼；

S3、冷却铸锭：当全部原料均熔化后，继续熔炼5～10min，当合金液表面结膜后，将合金溶液浇入冷锭模，冷却成型；

S4、氢碎制粉：向粗破碎机中投入保护气体氮气，将S2步骤铸锭熔炼的合金块投入粗碎破碎机中进行初步破碎；接着向氢碎炉中通入氮气，将上述制得的初碎料加入氢碎炉中，接着将氮气置换成氢气，进行氢破碎处理，破碎粉料至40目以下粒径；

S5、气流粉碎：将S4步骤制得的粉料加入气流磨中，经气流磨将粉粒粉碎成3～4微米粉末，并将粉末置于0～3℃下低温冷却；

S6、磁场取向成型：将S5步骤制得的粉末填充至成型模具内，在磁场压机中取向成型；

S7、等静压：将S6步骤制得的压坯装入等静压机的高压腔中，保压；

S8、烧结：将S7步骤等静压后的压坯装入料盒，再将料盒装入真空烧结炉中，将真空烧结炉抽真空后开始加热，烧结后经冷却得到钕铁硼产品；

S9、检测：将烧结后的成品逐一检测磁参数，并剔除不合格品。

5.根据权利要求4所述的一种低成本钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：所述S5步骤中在将粉料加入气流磨之前，先按配比向粉料中加入抗氧化剂己二酸二酰肼，混合均匀。

6.根据权利要求4所述的一种低成本钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：所述S6步骤中磁场压机的磁场强度为19000e～20000e。

7.根据权利要求4所述的一种低成本钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：所述S7步骤中在将S6步骤制得的压坯装入等静压机的高压腔前需要将压坯进行真空包装。

8.根据权利要求4所述的一种低成本钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：所述S8步骤在将压坯装入料盒进行烧结前，需要将压坯的真空包装去除。

9.根据权利要求4所述的一种低成本钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述S8步骤中真空度为0.001Pa～0.02 Pa，烧结温度为1050℃～1105℃，烧结时间为4～6h，烧结后气淬冷却，在850℃～960℃下回火处理2～3h，在420℃～660℃下继续回火1～2h，冷却至室温得到钕铁硼磁体。