[发明专利]薄膜晶体管基板和显示装置在审
申请号: | 202010218825.6 | 申请日: | 2020-03-25 |
公开(公告)号: | CN111739894A | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 阮成进;姜美在;李镕守;崔相虔 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 张燕;王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 显示装置 | ||
薄膜晶体管基板包括:基板;布置在基板上的第一电极;布置在基板上并且具有相对于基板以一定角度倾斜的倾斜表面的堤;布置在堤上的第二电极;电连接到第一电极和第二电极的有源图案,有源图案被布置在倾斜表面上,并且包括其中掺杂了杂质的第一导电区和第二导电区以及在第一导电区与第二导电区之间的沟道区;以及与有源图案的沟道区的至少一部分重叠的栅电极。在平面图中,倾斜表面在第一方向上延伸。第一导电区、沟道区和第二导电区沿着与第一方向交叉的第二方向被顺序地布置在倾斜表面上。本申请还公开了包括上述薄膜晶体管基板的显示装置。
技术领域
本发明构思的示例性实施方式涉及薄膜晶体管基板、具有薄膜晶体管基板的显示装置以及制造薄膜晶体管基板的方法。更具体地,本发明构思的示例性实施方式涉及具有改善的空间利用率的薄膜晶体管基板、具有改善的柔性的薄膜晶体管基板的显示装置以及制造薄膜晶体管基板的方法。
背景技术
近来,已经制造出具有轻的重量和小的尺寸的显示装置。阴极射线管(CRT)显示装置由于其性能和有竞争力的价格已经被使用了数十年。然而,CRT显示装置因其尺寸和可携带性而具有缺点。因此,诸如等离子体显示装置、液晶显示装置和有机发光显示装置的平板显示装置由于其小的尺寸、轻的重量和低功耗已经受到高度重视。
为了改善显示装置的显示质量,已经进行了提高显示装置的分辨率的努力。然而,由于减小了由一个像素占用的区域,因此减小了用于放置薄膜晶体管的空间。
近年来,已经积极开展研究以开发柔性显示装置,柔性显示装置能够折叠屏幕以增强可携带性并在使用该柔性显示装置时能够展开屏幕。存在使柔性显示装置的厚度比传统显示装置的厚度薄以赋予并增加柔性的需求。
发明内容
本发明构思的一个或多个示例性实施方式提供了一种具有改善的空间利用率的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板。
本发明构思的一个或多个示例性实施方式还提供了一种具有包括柔性区域的薄膜晶体管基板的显示装置。
本发明构思的一个或多个示例性实施方式还提供了一种制造薄膜晶体管基板的方法。
根据本发明构思的示例性实施方式,薄膜晶体管基板包括:基板;布置在基板上的第一电极;布置在基板上并且具有相对于基板以一定角度倾斜的倾斜表面的堤;布置在堤上的第二电极;电连接到第一电极和第二电极的有源图案,有源图案被布置在倾斜表面上,并且包括其中掺杂了杂质的第一导电区和第二导电区以及在第一导电区与第二导电区之间的沟道区;以及与有源图案的沟道区的至少一部分重叠的栅电极。在平面图中,倾斜表面在第一方向上延伸。第一导电区、沟道区和第二导电区沿着与第一方向交叉的第二方向被顺序地布置在倾斜表面上。
在示例性实施方式中,有源图案的沟道区可以形成在倾斜表面上。
在示例性实施方式中,第一电极与第二电极之间的高度差可以不超过200μm(微米)。
在示例性实施方式中,第一导电区可以具有与第一电极重叠的第一部分以及连接到第一部分并且与倾斜表面的与第一电极相邻的一部分重叠的第二部分。
在示例性实施方式中,有源图案可以在倾斜表面上具有S形。
根据本发明构思的示例性实施方式,显示装置包括:基板;布置在基板上并且具有相对于基板以第一角度倾斜的第一倾斜表面的第一堤;包括第一电极、第二电极、第一有源图案和栅电极的第一薄膜晶体管;以及电连接到第一薄膜晶体管的发光结构。第一电极被布置在基板上,并且第二电极被布置在第一堤上。第一有源图案电连接到第一电极和第二电极并且被布置在第一倾斜表面上。第一有源图案包括其中掺杂了杂质的第一导电区和第二导电区以及在第一导电区与第二导电区之间的沟道区,并且栅电极与第一有源图案的沟道区重叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的