[发明专利]薄膜晶体管基板和显示装置在审
申请号: | 202010218825.6 | 申请日: | 2020-03-25 |
公开(公告)号: | CN111739894A | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 阮成进;姜美在;李镕守;崔相虔 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 张燕;王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管基板,包括:
基板;
布置在所述基板上的第一电极;
布置在所述基板上并且具有相对于所述基板以一定角度倾斜的倾斜表面的堤;
布置在所述堤上的第二电极;
电连接到所述第一电极和所述第二电极的有源图案,所述有源图案被布置在所述倾斜表面上,并且包括其中掺杂了杂质的第一导电区和第二导电区以及在所述第一导电区与所述第二导电区之间的沟道区;以及
与所述有源图案的所述沟道区的至少一部分重叠的栅电极,
其中在平面图中,所述倾斜表面在第一方向上延伸,
其中所述第一导电区、所述沟道区和所述第二导电区沿着与所述第一方向交叉的第二方向被顺序地布置在所述倾斜表面上。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其中,所述有源图案的所述沟道区形成在所述倾斜表面上。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板,其中,所述第一电极与所述第二电极之间的高度差不超过200μm。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其中,所述第一导电区具有与所述第一电极重叠的第一部分以及连接到所述第一部分并且与所述倾斜表面的与所述第一电极相邻的一部分重叠的第二部分。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其中,所述有源图案在所述倾斜表面上具有S形。
6.一种显示装置,包括:
基板;
布置在所述基板上并且具有相对于所述基板以第一角度倾斜的第一倾斜表面的第一堤;
包括第一电极、第二电极、第一有源图案和栅电极的第一薄膜晶体管;以及
电连接到所述第一薄膜晶体管的发光结构,
其中所述第一电极被布置在所述基板上,并且所述第二电极被布置在所述第一堤上,
其中所述第一有源图案电连接到所述第一电极和所述第二电极并且被布置在所述第一倾斜表面上,并且
其中所述第一有源图案包括其中掺杂了杂质的第一导电区和第二导电区以及在所述第一导电区与所述第二导电区之间的沟道区,并且所述栅电极与所述第一有源图案的所述沟道区重叠。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,在平面图中,所述第一倾斜表面在第一方向上延伸,
其中所述第一导电区、所述沟道区和所述第二导电区沿着与所述第一方向交叉的第二方向被顺序地布置在所述第一倾斜表面上,并且
其中所述基板包括第一加强区域和第二加强区域以及可弯曲并且被布置在所述第一加强区域与所述第二加强区域之间的柔性区域。
8.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述第一电极与所述第二电极之间的高度差不超过200μm。
9.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述第一导电区具有与所述第一电极重叠的第一部分以及连接到所述第一部分并且与所述第一倾斜表面的与所述第一电极相邻的一部分重叠的第二部分。
10.根据权利要求6所述的显示装置,进一步包括:
在第一方向上与所述第一堤间隔开的第二堤;以及
包括第二有源图案的第二薄膜晶体管,
其中所述第二堤包括相对于所述基板以第二角度倾斜的第二倾斜表面,并且
其中所述第二薄膜晶体管的所述第二有源图案被布置在所述第二堤的所述第二倾斜表面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的