[发明专利]蚀刻螯合剂及其制备方法与蚀刻液组合物有效
| 申请号: | 202010209957.2 | 申请日: | 2020-03-23 |
| 公开(公告)号: | CN111349938B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
| 发明(设计)人: | 吴豪旭 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | C23F1/18 | 分类号: | C23F1/18 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 蚀刻 螯合剂 及其 制备 方法 组合 | ||
本发明公开了一种蚀刻螯合剂及其制备方法与蚀刻液组合物,所述蚀刻螯合剂包括纤维素交联聚合物,所述纤维素交联聚合物由羧甲基纤维素与胺类化合物交联聚合而得。所述蚀刻螯合剂中含有大量的羧基与胺基,与铜离子能够发生较强的螯合作用,并形成沉淀将铜离子从溶液中脱离出来,因此,使用加入此蚀刻螯合剂的蚀刻液进行含铜膜层蚀刻时,可有效抑制蚀刻液中铜离子浓度的升高。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种蚀刻螯合剂及其制备方法与蚀刻液组合物。
背景技术
在目前高世代的薄膜晶体管-液晶显示器的生产工艺中,薄膜晶体管最常采用是非晶硅薄膜晶体管。在该种薄膜晶体管中,若金属走线的电阻过高,则容易产生RC-Delay效应,对显示效果有着较大的影响。铜材料因具有较低的电阻率,可以满足大尺寸面板的布线要求,铜/钼膜层已成为该类型的薄膜晶体管的主要的栅极、源漏极金属层结构,因而,对应的蚀刻液的开发也显得尤为重要。
现有的针对含铜膜层的蚀刻液通常为过氧化氢/过硫化氢系蚀刻液,在这种蚀刻液中,随着蚀刻生产的进行,蚀刻液中铜离子浓度会不断上升,造成蚀刻工艺的不稳定,且存在突沸爆炸的风险,同时也导致了蚀刻液寿命过短生产成本过高的问题,另外,还需投入大量的废液处理成本,以防止蚀刻废液中过高的铜离子浓度对环境造成污染。
发明内容
为解决上述问题,第一方面,本发明提供一种蚀刻螯合剂,所述蚀刻螯合剂包括纤维素交联聚合物,所述纤维素交联聚合物由羧甲基纤维素与胺类化合物交联聚合而得。
进一步地,所述胺类化合物中包括环氧基团。
进一步地,所述蚀刻螯合剂还包括多孔聚苯乙烯,所述纤维素交联聚合物与所述多孔聚苯乙烯均一地相互粘结。
进一步地,所述纤维素交联聚合物与所述多孔聚苯乙烯的质量比为5:1至3:1。
第二方面,本发明还提供了一种蚀刻螯合剂的制备方法,所述制备方法包括:
将羧甲基纤维素与胺类化合物混合,在第一温度下反应第一时间,得到纤维素交联聚合物;
将所述纤维素交联聚合物、多孔聚苯乙烯、表面活性剂以及分散剂加入去离子水中,搅拌混合均匀,再烘干去除所述去离子水,即制得所述蚀刻螯合剂。
进一步地,所述羧甲基纤维素与胺类化合物的摩尔比为5:1至1:1,以及所述纤维素交联聚合物与所述多孔聚苯乙烯的质量比为5:1至3:1。
进一步地,所述第一温度为80-150℃,所述第一时间为15-60分钟。
进一步地,所述表面活性剂为聚乙二醇,所述分散剂选自酰胺类化合物中的至少一者。
第三方面,本发明还提供了一种蚀刻液组合物,所述蚀刻液组合物包括:过氧化氢、有机酸、无机酸、蚀刻添加剂以及蚀刻螯合剂,其中,所述蚀刻螯合剂为包括纤维素交联聚合物与多孔聚苯乙烯的混合物,所述纤维素交联聚合物由羧甲基纤维素与胺类化合物交联聚合而得。
进一步地,在所述蚀刻液组合物中,所述蚀刻螯合剂的含量为0.5wt%-15wt%。
有益效果:本发明提供了一种蚀刻螯合剂,包括纤维素交联聚合物,所述纤维素交联聚合物由羧甲基纤维素与取代有环氧基团的胺类化合物交联聚合而得,在该交联聚合物中,含有大量的羧基与胺基,与铜离子能够发生较强的螯合作用,并形成沉淀将铜离子从溶液中脱离出来,因此,使用加入此蚀刻螯合剂的蚀刻液进行含铜膜层蚀刻时,可有效抑制蚀刻液中铜离子浓度的升高,一方面保持了蚀刻过程的稳定性,另一方面,增加了蚀刻液的使用寿命,降低生产成本。
附图说明
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