[发明专利]微型发光二极管显示面板及其制备方法

说明书

本申请实施例提供了一种微型发光二极管显示面板及其制备方法。该制备方法，包括：在衬底基材的一侧制备磊晶层，磊晶层包括第一半导体层、发光材料层、第二半导体层和第一导电层，第一半导体层与衬底基材直接接触，第一导电层为磊晶层中最远离衬底基材的膜层；将磊晶层划分为阵列排布的多个发光二极管晶粒；提供背板，在背板上制作绑定结构；将多个发光二极管晶粒中的至少部分发光二极管晶粒的第一导电层与绑定结构相绑定；将与绑定结构相绑定的发光二极管晶粒从衬底基材剥离。本申请实施例提高了巨量转移的转移效率、转移精度，以及能够实现对垂直电极结构的微型发光二极管晶粒的转移。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种微型发光二极管显示面板及其制备方法。

背景技术

微型发光二极管(Micro LED)显示面板的制备过程中，在磊晶工序结束后，通常需要进行巨量转移。

巨量转移是指，把数百万甚至数千万颗微米级的Micro LED晶粒正确且有效率的移动到电路基板上。以一个4K三色显示器(显示屏分辨率为3840×2160及以上的超高清电视，其分辨率是高清的8倍、全高清的4倍)为例，需要转移的晶粒就高达2400万颗(4000×2000×3)，即使一次转移1万颗，也需要重复2400次。

在现有的巨量转移技术中，激光转移以其高可靠性、高产量、高可量测性、高可选择性及高成功率等优势，受到业内欢迎。但目前常用的激光转移存在以下缺陷：需要使用至少一片carrier(粘贴基板或转移基板)做为中转层，转移环节多、配合转移的器件多，转移效率低、转移精度受限；目前只能实现水平电极结构的Micro LED的转移，难以实现垂直电极结构的Micro LED的转移，兼容性不足。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种微型发光二极管显示面板及其制备方法，用以解决现有技术存在转移效率低、转移精度受限或难以实现水平电极结构的微型发光二极管晶粒转移的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种微型发光二极管显示面板的制备方法，包括：

在衬底基材的一侧制备磊晶层，磊晶层包括第一半导体层、发光材料层、第二半导体层和第一导电层，第一半导体层与衬底基材直接接触，第一导电层为磊晶层中最远离衬底基材的膜层；

将磊晶层划分为阵列排布的多个发光二极管晶粒；

提供背板，在背板上制作绑定结构；

将多个发光二极管晶粒中的至少部分发光二极管晶粒的第一导电层与绑定结构相绑定；

将与绑定结构相绑定的发光二极管晶粒从衬底基材剥离。

第二个方面，本申请实施例提供了一种微型发光二极管显示面板，包括：背板和多个发光二极管晶粒；

多个发光二极管晶粒中的每个发光二极管晶粒包括叠层设置的第一半导体层、发光材料层、第二半导体层和第一导电层；

第一导电层与背板上的绑定结构相绑定；

第二半导体层位于第一导电层远离背板的一侧；

发光材料层位于第二半导体层远离第一导电层的一侧；

第一半导体层位于发光材料层远离第二半导体层的一侧。

本申请实施例提供的微型发光二极管显示面板的制备方法带来的有益技术效果包括：在衬底基材上制备阵列排布的多个垂直电极结构的发光二极管晶粒，采用可选择性剥离，将指定的发光二极管晶粒直接转移到目标背板，即采用一次转移，不需使用作为中转的粘贴基板或转移基板，简化了转移环节，减少了配合转移的器件数量，大大提高了转移效率以及转移精度；制备得到的发光二极管晶粒为垂直电极结构，改善了现有技术只能实现水平电极结构的发光二极管晶粒转移的局限，实现了对垂直电极结构的发光二极管晶粒的转移，提高了巨量转移的兼容性。