[发明专利]一种对一次可编程存储器芯片进行筛选的方法

说明书

本发明公开一种对一次可编程存储器芯片进行筛选的方法，属于CMOS集成电路技术领域。通过编程器对一次可编程存储器芯片的冗余行进行编程并校验，剔除校验失败的芯片；对一次可编程存储器芯片进行空片检查，剔除检查失败的芯片；通过编程器对一次可编程存储器芯片的冗余列进行编程并校验，剔除校验失败的芯片；再次对一次可编程存储器芯片进行空片检查，剔除检查失败的芯片；对一次可编程存储器芯片进行动态老炼，诱导有潜在缺陷的芯片发生早期失效；进行全片读取校验，剔除发生错误的芯片。本发明提供的方法可以有效剔除有工艺缺陷或参数不达标的芯片，具有很高的应用价值。

技术领域

本发明涉及CMOS集成电路技术领域，特别涉及一种对一次可编程存储器芯片进行筛选的方法。

背景技术

在一次可编程存储器的设计中，器件由于存在一次可编程特性，而往往难以测试。因此设计者一般会设计内置测试电路，以对芯片的可编程性、功能、性能进行测试，希望在筛选阶段的早期剔除有缺陷或参数不达标的芯片。但由于一次可编程器件在航空航天领域的重要性，属于国外对中国严格禁运和技术封锁的器件，国内很少有生产厂家研制以此类器件，也无有效筛选手段。

发明内容

本发明的目的在于提供一种对一次可编程存储器芯片进行有效筛选的方法，以实现对一次可编程存储器芯片进行有效测试和筛选。

为解决上述技术问题，本发明提供一种对一次可编程存储器芯片进行筛选的方法，包括：

通过编程器对一次可编程存储器芯片的冗余行进行编程并校验，剔除校验失败的芯片；

对一次可编程存储器芯片进行空片检查，剔除检查失败的芯片；

通过编程器对一次可编程存储器芯片的冗余列进行编程并校验，剔除校验失败的芯片；

再次对一次可编程存储器芯片进行空片检查，剔除检查失败的芯片；

对一次可编程存储器芯片进行动态老炼，诱导有潜在缺陷的芯片发生早期失效；

进行全片读取校验，剔除发生错误的芯片。

可选的，所述一次可编程存储器芯片包括：

用户存储区，用于用户存储信息；所述用于存储区包括字线、位线、存储单元和电源线、地线；

测试阵列，用于通过编程、读出操作进行测试；所述测试阵列包括冗余行和冗余列；其中，所述冗余行包括两行存储单元及冗余行区域内的字线、位线和电源线、地线；所述冗余列包括两列存储单元及冗余列区域内的字线、位线和电源线、地线；

编程及读出电路，隔着所述用户存储区与所述冗余行相对；

字线驱动，隔着所述用户存储区与所述冗余列相对。

可选的，通过编程器对一次可编程存储器芯片的冗余行进行编程并校验包括：

从所述冗余行的列的角度看，冗余行内每列有2个存储单元，至少对其中1个进行编程，但从冗余行整体来看，不能对冗余行内存储单元全部编程；若校验失败，则该芯片剔除。

可选的，通过编程器对一次可编程存储器芯片的冗余列进行编程并校验包括：

从所述冗余列的行的角度看，冗余列内每行有2个存储单元，至少对其中1个进行编程，但从冗余列整体来看，不能对冗余列内存储单元全部编程；若校验失败，则该芯片剔除。

可选的，对一次可编程存储器芯片进行动态老炼包括：

对所述用户存储区进行周期性读取，和对所述测试阵列进行周期性读取，以使读出通路有“0→1”或“1→0”的变化，即老炼过程覆盖读出通路。

可选的，进行全片读取校验包括：