[发明专利]采用多基岛引线框架的芯片封装结构

说明书

本发明公开了一种采用多基岛引线框架的芯片封装结构，通过将一颗双N衬底二极管和两颗N衬底二极管分别放在三个不同基岛上，组成二极管整流桥堆；相比传统的四颗独立二极管整流桥堆，该方案实现更简单、操作更容易、成本更低。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种采用多基岛引线框架的芯片封装结构。

背景技术

随着集成电路IC设计、制造行业得到飞速发展，封装技术也得到了大幅提升。封装是整个集成电路制造过程中重要一环，它具有散热和保护功能。封装工艺能够将芯片密封，隔绝外界污染及外力对芯片的破坏。

随着技术的进步，在一个封装体中封装单颗芯片已经不能满足需求。在一个封装体中封装多颗芯片，成为了技术发展的方向。芯片面积越来越小，功率越来越大，使用环境越来越极限，散热要求越来越高，市场竞争日益激烈，成本竞争尤为突出。

目前驱动电路中输入整流桥、续流二极管和驱动IC分开，属于不同封装元器件，工厂实际生产中需多次上板，导致元器件成本较高、电路板体积较大。

请一并参阅图1A-图1B，其中，图1A为现有的输入整流桥的电路结构示意图，图1B为二极管封装形式示意图。

如图1A所示，现有的输入整流桥通常使用四颗独立二极管(D1～D4)组成，以对输入的交流电AC进行整流，输出直流电DC。

如图1B所示，对于N衬底二极管11，其封装时，底部与引线框架的基岛电连接的为阴极，顶部为阳极(即N衬底)、可以通过金属引线与其它组件电连接，如图1B中a部分所示；对于P衬底二极管12，其封装时，底部与引线框架的基岛电连接的为阳极，顶部为阴极(即P衬底)、可以通过金属引线与其它组件电连接，如图1B中b部分所示。

对四颗独立二极管进行封装时，需要多个独立基岛、多次点胶和上芯，方案繁琐、生产产能(UPH)较低、成本较高。

发明内容

本发明的目的在于，针对现有技术中存在的技术问题，提供一种采用多基岛引线框架的芯片封装结构，可以为工厂生产中减少元器件，实现物料成本下降、封装结构的电路板体积更小等优点。

为实现上述目的，本发明提供了一种采用多基岛引线框架的芯片封装结构，包括：多基岛引线框架，包括多个第一类引脚以及相互之间电气隔离的第二基岛、第三基岛与第四基岛；所述第一类引脚至少包括第一交流电输入引脚、第二交流电输入引脚、总线引脚以及接地引脚；一颗双N衬底二极管，设置于所述第二基岛上，所述双N衬底二极管包括第一阳极、第二阳极以及共用的阴极，其阴极与所述第二基岛电连接、并通过所述第二基岛与所述总线引脚电连接，其第一阳极通过金属引线与所述第一交流电输入引脚电连接，其第二阳极通过金属引线与所述第二交流电输入引脚电连接；一第一N衬底二极管，设置于所述第三基岛上，其阴极与所述第三基岛电连接、并通过所述第三基岛与所述第一交流电输入引脚电连接，其阳极通过金属引线与所述接地引脚电连接；一第二N衬底二极管，设置于所述第四基岛上，其阴极与所述第四基岛电连接、并通过所述第四基岛与所述第二交流电输入引脚电连接，其阳极通过金属引线与所述接地引脚电连接。

本发明的优点在于：本发明通过将一颗双N衬底二极管和两颗N衬底二极管分别放在三个不同基岛上，组成二极管整流桥堆，相比传统的四颗独立二极管整流桥堆，该方案实现更简单、操作更容易、成本更低。通过进一步将二极管整流桥堆与驱动IC、续流二极管、MOS管等中的一个或多个合封在一个封装结构内部，提高了芯片集成度、降低了整个电路的成本；封装结构内部各基岛之间电气隔离，引脚与引脚之间间距足够大，可以有效防止高压击穿，进而满足封装或可靠性的要求。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。