[发明专利]一种工件架及镀膜系统

说明书

本发明属于镀膜技术领域，具体公开了一种工件架及镀膜系统。工件架包括：框架、前挡板、两个侧板、射频电极板和接地电极板，两个侧板和前挡板合围形成开口背向前挡板的容纳腔，侧板上的通孔与容纳腔连通；各电极板均设置于容纳腔内，且沿框架的高度方向间隔交替连接在框架上。镀膜系统包括反应室，反应室内设置有上述工件架，工件架通过共用电极板可拆卸连接在反应室内。本发明提供的工件架及镀膜系统，电场均匀性提高，不需要通过附加装置便能提高镀膜均匀性和镀膜效率，降低镀膜成本。

技术领域

本发明涉及镀膜技术领域，尤其涉及一种工件架及镀膜系统。

背景技术

真空镀膜是一种在高真空环境下，在金属、塑料等工件表面上形成具有所需特性薄膜的一种工艺方法，其被广泛应用于电子设备制造等各个领域，用于改善工件的物理、化学性能，或使工件表面获得较好的外观美观性。

等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)是真空镀膜工艺的一种，按沉积腔室等离子源与工件的关系分为直接法和间接法，其中属于直接法的板式PECVD结构较为常见，即将工件放置在一个工件架上，再将工件架放入到一个反应腔室中，反应腔室内部设有平板型的电极，电极与工件之间形成一个放电回路，腔室中的工艺气体在两个极板之间的交流电场的作用下在空间被电离形成等离子体，并沉积到工件表面进行镀膜。

目前，真空镀膜系统中的工件架多采用圆筒式工件架，其是通过附加转台或旋转装置来实现工件架的可旋转，以达到镀膜均匀性的要求。但其存在以下缺点：

(1)由于其是通过电极板与真空腔室内壁的不同极性来产生电场的，在同一腔室内其产生的电场空间是有限的，且在电场中产生的等离子体需通过一定距离的扩散运动才能到达所需镀膜的工件，镀膜效率相对较低；

(2)由于其需要附加装置来实现镀膜均匀性，因此结构比较复杂，成本较高，同时占用了较大部分的腔室面积。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种工件架，其电场均匀性好，镀膜空间利用率高，镀膜均匀性好，镀膜效率高，有利于降低镀膜成本。

本发明的另一个目的在于提供一种镀膜系统，提高镀膜效率和镀膜质量，降低镀膜成本。

为实现上述目的，本发明采用下述技术方案：

一种工件架，包括：

框架；

两个侧板，分别连接于所述框架的相对两侧，所述侧板上开设有多个通孔；

前挡板，连接于所述框架的前侧，两个所述侧板和所述前挡板合围形成开口背向所述前挡板的容纳腔，所述通孔与所述容纳腔连通；

射频电极板和接地电极板，均设置于所述容纳腔内，所述射频电极板和所述接地电极板沿所述框架的高度方向间隔交替连接在所述框架上。

作为上述工件架的优选技术方案，所述射频电极板和所述接地电极板均可拆卸连接在所述框架上且高度位置可调。

作为上述工件架的优选技术方案，沿所述侧板的高度方向，多个所述通孔分成若干排等间隔分布在所述侧板上，且每排中相邻两个所述通孔的间距相等。

作为上述工件架的优选技术方案，沿垂直于所述前挡板的方向，每排中所述通孔的孔径沿远离所述前挡板的方向按预设规律逐渐减小。

作为上述工件架的优选技术方案，所述框架为由多根支撑杆围设形成的六面体结构，所述支撑杆包括多根竖直设置且形成所述六面体结构侧棱的第一支撑杆，所述框架的前侧的两根所述第一支撑杆上以及后侧的两根所述第一支撑杆上均沿所述框架的高度方向等间隔设置有若干插接凹槽，且同侧的两根所述第一支撑杆上的所述插接凹槽一一正对设置，所述插接凹槽用于插接所述射频电极板和所述接地电极板。